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参数资料
| 型号： | BU1706AX |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SOT-186A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | BU1706AX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1706AX
Fig.1. Test circuit for V
CEOsust
.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEOsust
.
Fig.3. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
= 250 V; tp = 20
μ
s;
δ
= tp / T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.4. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.5. Test circuit inductive load.
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V; L
B
= 1 uH
Fig.6. Test Circuit RBSOA.
V
CC
= 150 V; -V
BB
= 5 V; L
C
= 2 mH; V
CL
≤
1500 V;
L
B
= 1
μ
H
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
300R
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
100
200
250
0
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
April 1994
3
Rev 1.000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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