参数资料
| 型号： | BU4SU69G2-TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INVERTER SCHMITT SGL SSOP5 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | 4S |
| 逻辑类型： | 反相器 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 1 |
| 电源电压： | 3 V ~ 16 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 3.4mA，3.4mA |
| 逻辑电平 - 低： | 1 V ~ 2.5 V |
| 逻辑电平 - 高： | 4 V ~ 12.5 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 25ns @ 15V，50pF |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 5-SSOP |
| 封装/外壳： | 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BU4SU69G2-DKR BU4SU69G2-DKR-ND BU4SU69G2DKR |
BU4S01G2,BU4S11G2,BU4SU69G2,BU4S71G2,BU4S81G2, BU4S584G2
Technical Note
2/16
www.rohm.com
2009.06 - Rev.A
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
When used at Ta=25[°C] or above, values of above are reduced per 1[°C].
Power dissipation is the value for mounting 70[mm] x 70[mm] x 1.6[mm]
FR4 glass epoxy circuit board (copper foil area is 3% or less).
●
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Limit
Unit
BU4S01G2 BU4S11G2 BU4SU69G2 BU4S71G2 BU4S81G2 BU4S584G2
Power supply voltage
VDD
-0.3 to 18
V
Supply current
Iin
±10
mA
Operating temperature
Topr
-40 to 85
℃
Storage temperature
Tstg
-55 to 150
℃
Input voltage
VIN
-0.3 to VDD+0.3
V
Maximum junction temperature
Tjmax
150
℃
●
Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Limit
Unit
BU4S01G2 BU4S11G2 BU4SU69G2 BU4S71G2 BU4S81G2 BU4S584G2
Operating power supply
VDD
3 to 16
V
Input voltage
VIN
0 to VDD
V
●
Thermal Derating Curve
●
Input / output Equivalent Circuits
●
Switching Characteristics
(*1)
UNIT
5.3
mW/℃
＜
Input＞
＜
Output＞
VDD
GND
VDD
GND
VDD
GND
Description of symbols
(1) tPHL: Time up to 50% of rise time of input waveform
~ 50% of fall time of output waveform
(2) tPLH: Time up to 50% of fall time of input waveform
~ 50% of rise time of output waveform
(3) tTHL: Time up to 90% ~ 10% of fall time of output waveform
(4) tTLH: Time up to 10% ~ 90% of rise time of output waveform
Description of symbols
(1) tPLH: Time up to 50% of rise time of input waveform
~50% of rise time of output waveform
(2) tPHL: Time up to 50% of fall time of input waveform
~ 50% of fall time of output waveform
(3) tTLH: Time up to 10% ~ 90% of rise time of output waveform
(4) tTHL: Time up to 90% ~ 10% of fall time of output waveform
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient temperature Ta〔℃〕
Po
we
r
Dissipation
Pd
〔 mW
〕
670[mV] BU4S Series (＊1)
85℃
BU4S01G2
BU4S11G2
BU4SU69G2
BU4S71G2
BU4S81G2
BU4S584G2
90%
50%
10%
50%
90%
20[ns]
Input
Output
①
tPHL
②
tPLH
③
tTHL
④
tTLH
90%
50%
10%
90%
50%
10%
20[ns]
④
tTHL
①
tpLH
Input
Output
③
tTLH
②
tpHL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU500 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU501 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:1/2 BUSHINGRGD/IMCNMINSUL |
| BU-501 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述: |
| BU501-2 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:1/2 BUSHING,RGD/IMC,NM,INSUL,2/BG |
| BU501-5 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:1/2 BUSHING,RGD/IMC,NM,INSUL,5/BG |
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