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参数资料
| 型号： | BU52001GUL-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/34页 |
| 文件大小： | 678K |
| 描述： | IC HALL EFFECT SW BIPO VCSP50L1 |
| 特色产品： | ROHM Hall Effect Sensor ICs |
| 标准包装： | 1 |
| 传感范围： | ±5.5mT 跳闸，±0.8mT 释放 |
| 类型： | 全极开关 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 3.3 V |
| 电流 - 电源： | 12µA |
| 电流 - 输出（最大）： | ±1mA |
| 输出类型： | 数字，开路集电极 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 4-UFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | VCSP50L1 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1377 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BU52001GUL-E2DKR |
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Technical Note
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52053NVX,
BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
5/31
www.rohm.com
2011.12 - Rev.G
?2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
BU52015GUL (Unless otherwise specified, V
DD
=1.80V, Ta=25)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Power Supply Voltage
V
DD
1.65
1.80
3.30
V
Operate Point
B
opS
-
3.0
5.0
mT
B
opN
-5.0
-3.0
-
Release Point
B
rpS
0.6
2.1
-
mT
B
rpN
-
-2.1
-0.6
Hysteresis
B
hysS
-
0.9
-
mT
B
hysN
-
0.9
-
Period
T
p
-
50
100
ms
Output High Voltage
V
OH
V
DD
-0.2
-
-
V
OUT1: B
rpN
<B
rpS
;
19
OUT2: B
opN
, B
opS
<B
I
OUT
= -0.5mA
Output Low Voltage
V
OL
-
-
0.2
V
OUT1: B
opN
, B
opS
<B
;
19
OUT2: B
rpN
<B
rpS
I
OUT
= +0.5mA
Supply Current 1
I
DD1(AVG)
-
5
8
礎 V
DD
=1.8V, Average
Supply Current During Startup Time 1
I
DD1(EN)
-
2.8
-
mA
V
DD
=1.8V,
During Startup Time Value
Supply Current During Standby Time 1 I
DD1(DIS)
-
1.8
-
礎
V
DD
=1.8V,
During Standby Time Value
Supply Current 2
I
DD2(AVG)
-
8
12
礎 V
DD
=2.7V, Average
Supply Current During Startup Time 2
I
DD2(EN)
-
4.5
-
mA
V
DD
=2.7V,
During Startup Time Value
Supply Current During Standby Time 2 I
DD2(DIS)
-
4.0
-
礎
V
DD
=2.7V,
During Standby Time Value
;19 B = Magnetic flux density
1mT=10Gauss
Positive ( + ) polarity flux is defined as the magnetic flux from south pole which is direct toward to the branded face of the sensor.
After applying power supply, it takes one cycle of period (T
P
) to become definite output.
Radiation hardiness is not designed.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU52003GUL-E2 | IC HALL EFFECT SW BIPO VCSP50L1 |
| BU52014HFV-TR | IC HALL EFFECT SW BIPO HVSOF5 |
| BU52040HFV-TR | IC HALL EFFECT BIPO LATCH HVSOF5 |
| D6B-2P | SENSR TILT 35-65DEG 1MA SMD GUL |
| D7E-3 | SENSOR TILT 50-80DEG 0.1A GRY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU52002GUL | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Unipolar Detection Hall ICs |
| BU52002GUL_10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Unipolar Detection Hall ICs |
| BU52002GUL_1008 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Unipolar Detection Hall ICs |
| BU52002GUL-E2 | 功能描述:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Magnetic Sensor 2.4-3.3V; 50mS RoHS:否 制造商:Honeywell 类型:Bipolar Hall-Effect Digital Position Sensor 工作电源电压:3 V to 24 V 电源电流:3.5 mA 最大输出电流:20 mA 工作点最小值/最大值:5 G, 55 G 最小/最大释放点（Brp）:- 55 G, - 5 G 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 |
| BU52003GUL | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Unipolar Detection Hall ICs |
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