型号: | BUK657-600B |
英文描述: | N-Channel Enhancement MOSFET |
中文描述: | N沟道MOSFET的增强 |
文件页数: | 2/5页 |
文件大小: | 254K |
代理商: | BUK657-600B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BUK657-600C | N-Channel Enhancement MOSFET |
BUK7105-40ATE | TrenchPLUS standard level FET |
BUK7107-40ATC | TrenchPLUS standard level FET |
BUK7107-55ATE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
BUK7109-75AIE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BUK657-600C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
BUK6607-55C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V72ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,72A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,72A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
BUK6607-55C,118 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BUK6607-75C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V72ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,72A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,72A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
BUK6607-75C,118 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |