参数资料
型号: BUK657-600B
英文描述: N-Channel Enhancement MOSFET
中文描述: N沟道MOSFET的增强
文件页数: 5/5页
文件大小: 254K
代理商: BUK657-600B
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PDF描述
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参数描述
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BUK6607-55C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUK6607-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V72ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,72A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,72A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
BUK6607-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube