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参数资料
| 型号： | BUK7107-40ATC |
| 英文描述： | TrenchPLUS standard level FET |
| 中文描述： | TrenchPLUS标准电平场效应管 |
| 文件页数： | 16/16页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BUK7107-40ATC |
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
9 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
VDS =25V
Tj =25 °C; ID =25A
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
IF = 250 AVF at Tj = 25 C; IF = 250 A
Fig 15. Forward voltage of temperature sense diode as
a function of junction temperature; typical
values.
Fig 16. Temperature coefcient of temperature sense
diode as a function of forward voltage; typical
values.
03ni90
0
25
50
75
100
0246
VGS (V)
ID
(A)
175
°C
Tj = 25 °C
03ni26
0
2
4
6
8
10
0
20406080100
120
QG (nC)
VGS
(V)
VDS = 14 V
32 V
03ne84
400
500
600
700
0
50
100
150
200
Tj (C)
VF
(mV)
03ne85
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.70
645
650
655
660
665
670
675
VF (mV)
-SF
(mV/K)
max
typ
min
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BUK7107-55AIE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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