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参数资料
| 型号： | BUK7909-75ATE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-263B |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 70V的五（巴西）直| 75A条（丁）|的SOT - 263B |
| 文件页数： | 15/16页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BUK7909-75ATE |
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
8 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
ID = 1 mA; VDS =VGS
Tj =25 °C; VDS =VGS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
Tj =25 °C; VDS =25V
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
Tj (°C)
VGS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
02
46
VGS (V)
ID
(A)
max
typ
min
03ni89
0
30
60
90
0
25
50
75
100
ID (A)
gfs
(S)
03ne67
0
2
4
6
8
10-1
1
10
102
VDS (V)
(nF)
Ciss
Coss
Crss
C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BUK794R1-40BT,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK795-60A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | SOT-263 |
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