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参数资料
| 型号： | BVSS138LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 200mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BSS138L, BVSS138L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc, 25 ° C)
(V DS = 50 Vdc, V GS = 0 Vdc, 25 ° C)
(V DS = 50 Vdc, V GS = 0 Vdc, 150 ° C)
Gate ? Source Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
50
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
0.1
0.5
5.0
± 0.1
Vdc
m Adc
m Adc
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
Gate ? Source Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 1.0 mAdc)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 2.75 Vdc, I D < 200 mAdc, T A = ? 40 ° C to +85 ° C)
(V GS = 5.0 Vdc, I D = 200 mAdc)
Forward Transconductance
(V DS = 25 Vdc, I D = 200 mAdc, f = 1.0 kHz)
V GS(th)
r DS(on)
g fs
0.5
?
?
100
?
5.6
?
?
1.5
10
3.5
?
Vdc
W
mmhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0, f = 1 MHz)
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0, f = 1 MHz)
(V DG = 25 Vdc, V GS = 0, f = 1 MHz)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
40
12
3.5
50
25
5.0
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)
Turn ? On Delay Time
Turn ? Off Delay Time
(V DD = 30 Vdc, I D = 0.2 Adc,)
t d(on)
t d(off)
?
?
?
?
20
20
ns
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
2. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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