参数资料
型号: BYC20-600,127
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 5/10页
文件大小: 63K
描述: DIODE RECT 600V 20A TO-220AC
标准包装: 50
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 500V
电流 - 平均整流 (Io): 20A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.9V @ 20A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 55ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 200µA @ 600V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
其它名称: 568-9769-5
934061501127
BYC20-600
BYC20-600,127-ND
BYC20-600-ND
BYC20-600_1
? NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 28 November 2007 4 of 10
NXP Semiconductors
BYC20-600
Recti?er diode, hyperfast
6. Characteristics
Table 5. Characteristics
Tj
= 25
°C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Static characteristics
VF
forward voltage IF
= 20 A; Tj
= 150
°C; see
Figure
2
- 1.54 1.97 V
IF
= 40 A; Tj
= 150
°C; see
Figure
2
- 1.95 2.34 V
IF
= 20 A; see
Figure
2
- 1.89 2.9 V
IR
reverse current VR
= 600 V - 16 200
μA
VR
= 500 V; Tj
= 100
°C - 1.6 3.0 mA
Dynamic characteristics
trr
reverse recovery time IF
=1AtoVR
=30V;dIF/dt=50A/μs;
seeFigure3
- 3555ns
IF
= 20 A to VR
= 400 V;
dIF/dt = 500 A/μs; see
Figure
3
Tj
=25°C - 19 - ns
Tj= 100°C - 32 40 ns
IRM
peak reverse recoveryIF= 20 A to VR= 400 V; Tj= 125°C;
current
seeFigure3
dIF/dt=50A/μs - 3.0 7.5 A
dIF/dt = 500 A/μs - 9.5 12 A
VFR
forward recoveryIF= 20 A; dIF/dt = 100 A/μs;
voltage
seeFigure4
- 8 11 V
相关PDF资料
PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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