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参数资料
| 型号： | BYC58X-600,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 174K |
| 描述： | DIODE 600V 8A TO-220F SOD113 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 3.2V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 12.5ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
   BYC58X-600_1 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 23 February 2010 6 of 11 NXP Semiconductors BYC58X-600 8 A hyperfast rectifier diode Fig 6. Reverse recovery definitions; ramp recovery Fig 7. Recovered charge as a function of rate of change of forward current; Tj = 125 °C; typical values 003aac562 trr time 100 % 25 % IF dlF dt IR IRM Qr dIF/dt (A/μs) 0 500100 200 300 400 003aae181 20 40 60 trr (ns) 0 (1) (2) (3) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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