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参数资料
| 型号： | BYC8-600,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 184K |
| 描述： | DIODE RECT 600V 8A SOT78 |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.9V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 52ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 568-8340-5 934054751127 BYC8-600 BYC8-600,127-ND BYC8-600-ND |
    NXP Semiconductors BYC8-600 Hyperfast power diode BYC8-600 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2013. All rights reserved Product data sheet 23 May 2013 4 / 9 9. Characteristics Table 6. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Static characteristics IF = 8 A; T j = 25 °C - 2 2.9 V IF = 8 A; T j = 150 °C; Fig. 4 - 1.4 1.85 V VF forward voltage IF = 16 A; T j = 150 °C - 1.7 2.3 V VR = 600 V; T j = 25 °C - 9 150 μA IR reverse current VR = 500 V; T j = 100 °C - 1.1 3 mA Dynamic characteristics Qr recovered charge IF = 1 A; V R = 100 V; dI F/dt = 100 A/μs; Tj = 25 °C - 12 - nC IF = 1 A; V R = 30 V; dI F/dt = 50 A/μs; Tj = 25 °C - 30 52 ns IF = 8 A; V R = 400 V; dI F/dt = 500 A/μs; Tj = 25 °C; Fig. 5 - 19 - ns trr reverse recovery time IF = 8 A; V R = 400 V; dI F/dt = 500 A/μs; Tj = 100 °C - 32 40 ns IF = 8 A; V R = 400 V; dI F/dt = 50 A/μs; Tj = 125 °C - 1.5 5.5 A IRM peak reverse recovery current IF = 8 A; V R = 400 V; dI F/dt = 500 A/μs; Tj = 100 °C - 9.5 12 A VFR forward recovery voltage IF = 10 A; dI F/dt = 100 A/μs; T j = 25 °C; Fig. 6 - 8 10 V |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BYG21MHE3/TR | DIODE 1.5A 1000V 120NS DO-214AC |
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| BYT79-600,127 | DIODE RECT 600V 15A TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BYC8-600P,127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 600V 8A Rail 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BYC8-600P/TO-220AC/RAILH// - Rail/Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE FAST REC 600V 8A TO220AC 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Hyperfast power Diode |
| BYC8B-600 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diode ultrafast, low switching loss |
| BYC8B-600 /T3 | 功能描述:整流器 TAPE13 PWRDIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BYC8B-600,118 | 功能描述:整流器 TAPE13 PWRDIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BYC8B-600PJ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:3.4V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:18ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:175°C（最大） 标准包装:1 |
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