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参数资料
| 型号： | BYM26F/33133 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 2.4 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | BYM26F/33133 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BYM26G/31133 | 2.4 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BYM26G | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:SINTERED GLASS JUNCTION FAST AVALANCHE RECTIFIER VOLTAGE: 1400V CURRENT: 2.3A |
| BYM26SERIES | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
| BYM300A120DN2 | 功能描述:分立半导体模块 1200V 300A F/DIODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| BYM300A120DN2HOSA1 | 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:- 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 |
| BYM300A160DN13C_E3222 | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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