参数资料
型号: BYV26C-TR
厂商: Vishay Semiconductors
文件页数: 2/3页
文件大小: 0K
描述: DIODE AVALANCH GPP SOD57
标准包装: 1
二极管类型: 雪崩
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.5V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 30ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 600V
安装类型: 通孔
封装/外壳: SOD-57,轴向
供应商设备封装: SOD-57
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: BYV26C-CT
‘? _ BYv26A, BYv26B, BYV26C, BYv26D, BYV26E7 WWw'V'Shay'C°m Vishay Semiconductors
ELEcTRIcAL cHARAcTEnIsTIcs (ramb 25 0C. unless othenvise specified)
FOnNa,d Voltage m|F:1A,T]:175°C22
Revese Current
VR : VRRM, TJ : 150 °C ‘MENE! IlllReverse breakdown voltage In : 100 uA nIlllIlllIIHIIIHIIIHIIIHIIIHI
BYV26 B
Reverse recovew time IF : 0.5 A, IR : 1 A, iR : 0.25 A
ImmlIlllIlllInulInulIlll
TYPICAL cHAnAcTEnIsTIcs (Tamb = 25 cc, unless otherwise specified)
600
12
mu 1 0
400 0 EI
SUD 0 6
200 04
mo 02
iFAV - Average Fonlvard Current (A)
PR - Max, Reverse Power Dissipation (mW)
00 40 so i20 160 200
959728 T] — Junction Temperature (“C) 959730 Tamb - Ambient Temperature (“Ci
Fig. 1 - Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction Temperature Fig. 3 - Max. Average Fom/ard Current vs. Ambient Temperature
in - Reverse Current (|.iA)
iF - Forward Current (A)
959729 T] _ Junction Temperature (ea) 95973. VF _ Fonlvard voltage (V)
Fig. 2 - Max. Reverse Current vs. Junction Temperature Fig. 4 - Max. Reverse Current vs. Junction Temperature
Rev. 1.8, 04-Sep-12 2 Document Number: 86040
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PDF描述
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参数描述
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BYV26D-E3/54 功能描述:整流器 1.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel