参数资料
型号: BYV26EGPHE3/54
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 72K
描述: DIODE UFAST 1A 1000V DO-204AC
标准包装: 4,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.5V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 75ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 1000V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AC,DO-15,轴向
供应商设备封装: DO-204AC(DO-15)
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQV
www.vishay.com
TJ :TJ Max10 ms Single HaIt SI
Peak Fonlvard Surge Current (A)
Number of Cycles at 60 HZ
Fig. 3 - Maximum Non-Repetitive Peak FonNard Surge Current
100
:1
on
lnstanianeous Fonuard Current (A)
06 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 34
lnstantaneous Forward Voltage (V)
Fig. 4 - Typical Instantaneous Forward Voltage Characteristics
10
0.01
instantaneous Reverse Leakage
Current (uA)
0 20 40 60 E0 100
Percent of Peak Reverse Voltage (‘7/n)
Fig. 5 - Typical Reverse Leakage Characteristics
Revision: 11-Dec-13For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.comTHIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENTARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT wwwvishaycom/doc?91000
3
BYv26D G P, BYV26 EG P
Vishay General Semiconductor
100
10
Junction Capacitance (pF)
Reverse Voltage (V)
Fig. 6 ? Typical Junction Capacitance
100
o
Mounted on RC E.0.375" (8 5 mm) Lead Length on0 47" x 0 47" I12 mm x12 mm)Copper Fads
Transient Thermal impedance (“C/W)
10 01 0.1 1 10 100
t- Pulse DuratIon (s)
Fig. 7 - Typical Transient Thermal lmpedance
Document N umber: 88554
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