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参数资料
| 型号： | BYV410X-600,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 145K |
| 描述： | DIODE RECT UFAST DL 600V TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.1V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
BYV410X-600
Enhanced ultrafast dual rectifier diode
Rev. 01 — 29 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Enhanced ultrafast dual rectifier diode in a SOT186A (TO-220AB) plastic package.
1.2 Features and benefits
∨
High thermal cycling performance
∨
Isolated package
∨
Low thermal resistance
∨
Soft recovery characteristic minimizes
power consuming oscillations
∨
Very low on-state losses
1.3 Applications
∨
Dual mode (DCM and CCM) PFC
∨
Power Factor Correction (PFC) for
Interleaved Topology
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IO(AV)
average output
current
square-wave pulse; δ
= 0.5;
Th
≤
42 °C; both diodes
conducting; see Figure 1;
see Figure 2
--20A
Dynamic characteristics
trr
reverse recovery
time
IF
=1A; VR
=30V;
dIF/dt = 100 A/μs;
Tj
= 25 °C; see Figure 5
- 2035ns
Qr
recovered charge IF
=1A; VR
=30V;
dIF/dt = 100 A/μs
- 1528nC
Static characteristics
VF
forward voltage IF
=10A; Tj
=25°C;
see Figure 4
-1.42.1V
IF
=10A; Tj
= 150 °C - 1.3 1.9 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BYV415W-600PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.1V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:300 |
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