型号: | BZG04-120115 |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 117K |
代理商: | BZG04-120115 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BZG04-150115 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
BZG04-12115 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
BZV03/B0131/90 | 1A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR |
BZV03/B0131/91 | 1A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR |
BZV03/B0131/92 | 1A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BZG04-120-HM3-08 | 功能描述:DIODE ZENER 120V 50A DO214AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,BZG04-M 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):150V 容差:- 功率 - 最大值:1.25W 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 120V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 500mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:DO-214AC(SMA) 标准包装:6,000 |
BZG04-120-HM3-18 | 功能描述:DIODE ZENER 120V 50A DO214AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,BZG04-M 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):150V 容差:- 功率 - 最大值:1.25W 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 120V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 500mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:DO-214AC(SMA) 标准包装:6,000 |
BZG04-120-M3-08 | 功能描述:DIODE ZENER 120V 50A DO214AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:BZG04-M 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):150V 容差:- 功率 - 最大值:1.25W 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 120V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 500mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:DO-214AC(SMA) 标准包装:6,000 |
BZG04-120-M3-18 | 功能描述:DIODE ZENER 120V 50A DO214AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:BZG04-M 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):150V 容差:- 功率 - 最大值:1.25W 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 120V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 500mA 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:DO-214AC(SMA) 标准包装:6,000 |
BZG04-120TR | 功能描述:稳压二极管 120 Volt 300 Watt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |