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参数资料
| 型号： | BZX79-B24116 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 24 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | BZX79-B24116 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZX79-A22133 | 22 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| BZW03-C13/33113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C9V1/20113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C9V1/41113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C7V5/40112 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZX79B27 | 功能描述:稳压二极管 27 Volt 500mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZX79-B27 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage regulator diodes |
| BZX79B27 A0G | 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:18.9mA @ 50mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
| BZX79B27 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 27V |
| BZX79-B27 T/R | 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE AXIAL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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