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CMKTC825E BK

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CMKTC825E BK PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • Zener Diode 6.2V 325mW ±5% Surface Mount SOT-363
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • *
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 上次购买时间
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
  • 6.2V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 325mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 20 欧姆
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • -
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
  • -
  • 工作温度
  • -65°C ~ 150°C
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装
  • SOT-363
  • 标准包装
  • 5,000
CMKTC825E BK 技术参数
  • CMKTC825A TR 功能描述:Zener Diode 6.2V 325mW ±5% Surface Mount SOT-363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:上次购买时间 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:325mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 CMKT5089M10 TR 功能描述:TRANS 2NPN 25V 0.05A SOT363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 CMKT5088 TR 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.05A SOT-363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 CMKT5087 TR 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.05A SOT-363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 CMKT5078 TR 功能描述:TRANS ARRAY 50V 50MA SOT363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V,50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 100μA,5V / 250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz,40MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 CMLBXPK111-1RLS4-40351-225-V CMLBXPK11-1RLS4-36933-150-V CMLD2004DO TR CMLD2004S TR CMLD4448 TR CMLD4448DOG TR CMLD6001 TR CMLD6001DO TR CMLD6263 TR CMLD6263C TR CMLD6263S BK LEAD FREE CMLD6263S BK TIN/LEAD CMLD6263S TR CMLD6263S TR TIN/LEAD CMLDM3737 TR CMLDM3757 TR CMLDM5757 TR CMLDM7002AG TR
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