CSD13383F4 模拟IC

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说明
操作

CSD13383F4 模拟IC
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
3800
TI/德州仪器
SOT23-5
21+
-
只做原装，真实库存，价格优势。

CSD13383F4 模拟IC
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
68500
TI/德州仪器
SOT23-5
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

CSD13383F4 模拟IC
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
30000
ADI/亚德诺
SOT23-5
21+
-
原厂授权，价格超越代理！

CSD13383F4 模拟IC
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
10000
TI/德州仪器
SOT23-5
22+
-
深圳现货

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CSD13383F4 模拟IC 技术参数

CSD13383F4 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:291pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD13381F4T 功能描述:MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD13381F4 功能描述:MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD13380F3T 功能描述:12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:156pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:76 毫欧 @ 400mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD13380F3 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:156pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:76 毫欧 @ 400mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD161610 CSD16166 CSD16166SS CSD16168 CSD16168SS CSD16208 CSD16208SS CSD16301Q2 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5 CSD16325Q5C CSD16327Q3 CSD16327Q3T