CSD18502Q5B/BKN

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CSD18502Q5B/BKN 技术参数

CSD18502Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5070pF @ 20V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD18502KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4680pF @ 20V 功率 - 最大值:259W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD18501Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3840pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17585F5T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 900mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD17585F5 功能描述:30V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 900mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD18510KCS CSD18510KTT CSD18510KTTT CSD18510Q5B CSD18510Q5BT CSD18511KCS CSD18511KTT CSD18511KTTT CSD18511Q5A CSD18511Q5AT CSD18512Q5B CSD18512Q5BT CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18531Q5A CSD18531Q5AT