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参数资料
| 型号： | C3D04060E |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 621K |
| 描述： | DIODE SCHOT 600V 4A ZREC TO252 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 4A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.7V @ 4A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 251pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
2
C3D04060E Rev. E
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.5
1.8
1.8
2.4
V
IF
=
4
A
TJ=25°C
IF
=
4
A
TJ=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
50
100
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
8.5
nC
VR
=
600
V,
IF
=
4A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
251
22
21
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
TO-252
Package
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
2.02
°C/W
Typical Performance
66
77
88
99
1010
Reverse Current (uA)
TO-220 4A
Series1
0
0
11
22
33
44
55
0 100 200 300 400 500 600 700 800 0
100
200
300
400
500
600
700
800
I
R
Reverse Current (uA)
VR
Reverse Voltage (V)
VRReverse Voltage (V)
Series2
Series3
Series4
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
0.00
1.01.0
2.02.0
3.03.0
4.04.0
5.05.0
6.06.0
7.07.0
8.08.0
0.0
0.0
0.5 0.5
1.0 1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 1.5
2.0
2.5
3.0
I
F
Forward Current (A)
Forward Voltage (V)
VFForward (V)
Current(A)
Series2
Series3
Series4
TJ =
25°C
T
J =
75°C
T
J =
125°C
T
J =
175°C
I
F
Forward Current (A)
VF
TJ =
25°C
TJ =
75°C
TJ =
125°C
TJ =
175°C
I
R
Reverse Current (
μ
A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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