参数资料
型号: C3D04060F
厂商: Cree Inc
文件页数: 2/6页
文件大小: 672K
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220
标准包装: 50
系列: Z-Rec™
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.7V @ 4A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 600V
电容@ Vr, F: 251pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 全封装,隔离接片
供应商设备封装: TO-220-F2
包装: 管件
2
C3D04060F Rev. E
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.5
1.8
1.8
2.4
V
IF
=
4
A
TJ=25°C
IF
=
4
A
TJ=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
50
100
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
8.5
nC
VR
=
600
V,
IF
=
4A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
251
22
21
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
11.5
°C/W
Typical Performance
00
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
11
22
33
44
55
66
77
88
99
1010
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
I
R
Reverse Current (uA)
VR
Reverse Voltage (V)
VRReverse Voltage (V)
D4_25C
D4_75C
D4_125C
D4_175C
0.00
1.01
2.02
3.03
4.04
5.05
6.06
7.07
8.08
0.00.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
F
Forward Voltage (A)
Forward Voltage (V)
VFForward Voltage (V)
D1_25C
D1_75C
D1_125C
D1_175C
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
TJ =
25°C
T
J =
75°C
T
J =
125°C
T
J =
175°C
I
F
Forward Current (A)
VF
TJ =
25°C
TJ =
75°C
TJ =
125°C
TJ =
175°C
I
R
Reverse Current (
μ
A)
相关PDF资料
PDF描述
C3D04065A DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
C3D06060A DIODE SCHOT 600V 6A ZREC TO220
C3D06060G DIODE SCHOT 600V 6A ZREC TO263
C3D06065A DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
C3D08060A DIODE SCHOT 600V 8A ZREC TO220
相关代理商/技术参数
参数描述
C3D04065A 功能描述:肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 4A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
C3D04065A 制造商:Cree 功能描述:SCHOTTKY DIODE 4A 650V TO-220 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, 4A, 650V, TO-220
C3D04065E 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A (DC) Surface Mount TO-252-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):4A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 4A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:251pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500
C3D04065E-TR 功能描述:Diode Schottky 650V 15.5A Surface Mount TO-252-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):15.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:251pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500
C3D06060A 功能描述:肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 6A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel