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参数资料
| 型号： | C3D06060A |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 788K |
| 描述： | DIODE SCHOT 600V 6A ZREC TO220 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 6A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 6A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 294pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
2
C3D06060A Rev. D
6060
7070
8080
9090
100100
Reverse Current (uA)
Reverse Characteristics
00
0
200
400
600
800
1000
1200
1010
2020
3030
4040
5050
0
200
400
600
800
1000
1200
I
R
Reverse Current (uA)
VRReverse Voltage (V)
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.6
1.9
1.8
2.4
V
IF
= 6 A T
J=25°C
IF
= 6 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
50
200
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
16
nC
VR
=
600
V,
IF
= 6A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
294
27
26
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
1.9
°C/W
Typical PerformanceForward Characteristics
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
VR Reverse Voltage (V)
I
R
Reverse Current (
μ
A)
1212
11
1010
9
88
7
66
5
44
3
22
1
00
0.00
0.50.5
1.01
1.51.5
2.02
2.52.5
3.03
VF Forward Voltage (V)VF
Forward Voltage (V)
I
F
Forward Current (A)
Forward Current (A)
I
F
Forward Current (A)
TJ
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
= 125°C
T
J
= 175°C
TJ
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
= 125°C
T
J
= 175°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| C3D06060G-TR | 制造商:Cree 功能描述:600V 6A SIC DIODES 制造商:CREE 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE |
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