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参数资料
| 型号： | C3D06060G |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 803K |
| 描述： | DIODE SCHOT 600V 6A ZREC TO263 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 6A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 6A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 294pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
3
C3D06060G Rev. F
Figure
3.
Current
Derating
Figure
4.
Capacitance
vs.
Reverse
Voltage
Figure
5.
Transient
Thermal
Impedance
Typical Performance
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Time (s)
Zth (°C/W)
350350
300300
250250
200200200
150150
100100
5050
00
1 1
1010
100100
10001000
C Capacitance (pF)
VR Reverse Voltage (VVR
Reverse Voltage (V)
)
C Capacitance (pF)
Capacitance vs. Reverse Voltage
C Capacitance (pF)
Series1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
25
50
75
100
125
150
175
I
F
Peak Forward Current (A)
TC Case Temperature (°C)
*Frequency > 1KHz
20% Duty*
30% Duty*
50% Duty*
70% Duty*
DC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3D06065A | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C3D06060G | 制造商:Cree 功能描述:Diode 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, 6A, 600V TO-263 |
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| C3D06065A | 制造商:Cree 功能描述:SCHOTTKY DIODE 6A 650V TO-220 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, 6A, 650V, TO-220 |
| C3D06065E | 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2A (DC) Surface Mount TO-252-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:2A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:75 |
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