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参数资料
| 型号： | C3D10060A |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 924K |
| 描述： | DIODE SCHOT 600V 10A ZREC TO220 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 10A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 480pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
2
C3D10060A Rev. C
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.5
2.0
1.8
2.4
V
IF
= 10 A T
J=25°C
IF
= 10 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
50
200
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
25
nC
VR
=
600
V,
IF
= 10 A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
480
50
42
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1. This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
1.1
°C/W
Typical Performance
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure100
2.200
Reverse300
Characteristics400
500
600
0
10
0200
100
200
300
400
500
600
700
800
900
30
10
30
40
4050
5060
6070
80
90
90
100100
0
700
VR
Reverse Voltage (V)
I
R
Reverse Current (
μ
A)
TJ
= 25°C
TJ
= 75°C
TJ
= 125°C
T
TJ
= 175°C
J =
25°C
80
70
20
TJ =
25°C
T
J =
75°C
T
J =
125°C
T
J =
175°C
TJ =
75°C
TJ =
125°C
TJ =
175°C
I
F
Forward Current (A)
VF
Forward Voltage (V)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VR Reverse Voltage (V)
I
R
Reverse Current (
μ
A)
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