参数资料
型号: C3D10060A
厂商: Cree Inc
文件页数: 4/6页
文件大小: 924K
描述: DIODE SCHOT 600V 10A ZREC TO220
产品培训模块: SiC Diodes in Inverter Modules
SiC Schottky Diodes
产品目录绘图: Circuit and Pin Out
标准包装: 50
系列: Z-Rec™
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.8V @ 10A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 600V
电容@ Vr, F: 480pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220-2
包装: 管件
产品目录页面: 1574 (CN2011-ZH PDF)
4
C3D10060A Rev. C
Typical Performance
140.000140
120.000120
100.000100
80.00080
60.00060
40.00040
20.00020
0.0000
Power Dissipation (W)
TC Case Temperature (°C)
2525
5050
7575
100100
125125
150150
175175
Figure
6.
Power
Derating
VT
RT
Diode Model CSD10060
Vf VfT
= V
T = VT + If*RT+If*RT
T
VVT T= =0.92 + (T
0.98+(T
-3
j
*
J-*1.35*10
-1.6*10-3)
)
RT =
0.04+(TJ*
0.522*10-3)
-3)
RT= 0.052 + (Tj
* 0.29*10
Note: Tj
= Diode Junction Temperature In Degrees Celsius
Diode Model
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