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参数资料
型号： CAT25640HU4I-GT3
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 2/19页
文件大小： 0K
描述： IC EEPROM SRL 64KB I2C 8UDFN
标准包装： 3,000
格式 - 存储器： EEPROMs - 串行
存储器类型： EEPROM
存储容量： 64K (8K x 8)
速度： 10MHz
接口： SPI 3 线串行
电源电压： 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 8-UFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装： 8-UDFN-EP（2x3）
包装： 带卷 (TR)
CAT25640
Table 1. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameters
Operating Temperature
Storage Temperature
Voltage on any Pin with Respect to Ground (Note 1)
Ratings
? 45 to +130
? 65 to +150
? 0.5 to +6.5
Units
° C
° C
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The DC input voltage on any pin should not be lower than ? 0.5 V or higher than V CC + 0.5 V. During transitions, the voltage on any pin may
undershoot to no less than ? 1.5 V or overshoot to no more than V CC + 1.5 V, for periods of less than 20 ns.
Table 2. RELIABILITY CHARACTERISTICS (Note 2)
Symbol
N END (Note 3)
T DR
Endurance
Data Retention
Parameter
Min
1,000,000
100
Units
Program / Erase Cycles
Years
2. These parameters are tested initially and after a design or process change that affects the parameter according to appropriate AEC ? Q100
and JEDEC test methods.
3. Page Mode, V CC = 5 V, 25 ° C.
Table 3. D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
( V CC = 1.8 V to 5.5 V, T A = ? 40 ° C to +85 ° C and V CC = 2.5 V to 5.5 V, T A = ? 40 ° C to +125 ° C, unless otherwise specified.)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I CCR
I CCW
I SB1
Supply Current
(Read Mode)
Supply Current
(Write Mode)
Standby Current
Read, V CC = 5.5 V,
SO open
Write, V CC = 5.5 V,
SO open
V IN = GND or V CC , CS = V CC ,
10 MHz / ? 40 ° C to 85 ° C
5 MHz / ? 40 ° C to 125 ° C
10 MHz / ? 40 ° C to 85 ° C
5 MHz / ? 40 ° C to 125 ° C
T A = ? 40 ° C to +85 ° C
2
2
3
3
1
mA
mA
m A
WP = V CC , V CC = 5.5 V
T A = ? 40 ° C to +125 ° C
2
I SB2
Standby Current
V IN = GND or V CC , CS = V CC ,
T A = ? 40 ° C to +85 ° C
3
m A
WP = GND, V CC = 5.5 V
T A = ? 40 ° C to +125 ° C
5
I L
Input Leakage Current
V IN = GND or V CC
? 2
2
m A
I LO
Output Leakage
Current
CS = V CC ,
V OUT = GND or V CC
T A = ? 40 ° C to +85 ° C
T A = ? 40 ° C to +125 ° C
? 1
? 1
1
2
m A
V IL
V IH
V OL1
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
V CC ≥ 2.5 V, I OL = 3.0 mA
? 0.5
0.7 V CC
0.3 V CC
V CC + 0.5
0.4
V
V
V
V OH1
V OL2
V OH2
Output High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
V CC ≥ 2.5 V, I OH = ? 1.6 mA
V CC < 2.5 V, I OL = 150 m A
V CC < 2.5 V, I OH = ? 100 m A
V CC ? 0.8 V
V CC ? 0.2 V
0.2
V
V
V
http://onsemi.com
2
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PDF描述
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CAT25640VP2I-GT3 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K SPI Serial RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
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