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参数资料
| 型号： | CAT28C512GI-15T |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KB PARALLEL 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CAT28C512/513
512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
FEATURES
s Fast Read Access Times: 120/150 ns
s Low Power CMOS Dissipation:
–Active: 50 mA Max.
–Standby: 200 μ A Max.
s Simple Write Operation:
–On-Chip Address and Data Latches
–Self-Timed Write Cycle with Auto-Clear
s Fast Write Cycle Time:
–5ms Max
s CMOS and TTL Compatible I/O
s Automatic Page Write Operation:
–1 to 128 Bytes in 5ms
–Page Load Timer
s End of Write Detection:
–Toggle Bit
– DATA Polling
s Hardware and Software Write Protection
s 100,000 Program/Erase Cycles
s 100 Year Data Retention
s Commercial, Industrial and Automotive
Temperature Ranges
DESCRIPTION
The CAT28C512/513 is a fast,low power, 5V-only CMOS
parallel EEPROM organized as 64K x 8-bits. It requires
a simple interface for in-system programming. On-chip
address and data latches, self-timed write cycle with
auto-clear and V CC power up/down write protection
eliminate additional timing and protection hardware.
DATA Polling and Toggle status bits signal the start and
end of the self-timed write cycle. Additionally, the
CAT28C512/513 features hardware and software write
protection.
BLOCK DIAGRAM
The CAT28C512/513 is manufactured using Catalyst’s
advanced CMOS floating gate technology. It is designed
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data
retention of 100 years. The device is available in JEDEC
approved 32-pin DIP, PLCC and TSOP packages.
A7 – A15
VCC
ADDR. BUFFER
& LATCHES
INADVERTENT
WRITE
PROTECTION
ROW
DECODER
HIGH VOLTAGE
GENERATOR
65,536 x 8
EEPROM
ARRAY
128 BYTE PAGE
REGISTER
CE
OE
WE
CONTROL
DATA POLLING
I/O BUFFERS
TIMER
AND
TOGGLE BIT
I/O0 – I/O7
A0 – A6
ADDR. BUFFER
& LATCHES
COLUMN
DECODER
? 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
1
Doc. No. MD-1007, Rev. I
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CAT28F001LI-12T | IC FLASH MEM 1MBIT 120NS 32PDIP |
| CAT28F020G-90T | IC FLASH 2MBIT 90NS 32PLCC |
| CAT28F512L90 | IC FLASH MEM 512KB 90NS 32PDIP |
| CAT28LV256GI-25T | IC EEPROM 256KBIT 250NS 32PLCC |
| CAT28LV64WI-25T | IC EEPROM 64KBIT 250NS 28SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28C512H-12 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 120 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512H-12T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512H-15 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 150 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512H-15T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512HA-12 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 120 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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