参数资料
型号: CAT28C512GI-15T
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/12页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 512KB PARALLEL 32PLCC
产品变化通告: Product Obsolescence 05/Oct/2010
标准包装: 500
格式 - 存储器: EEPROMs - 并行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 512K (64K x 8)
速度: 150ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 32-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 32-PLCC(11.43x13.97)
包装: 带卷 (TR)
CAT28C512/513
A.C. CHARACTERISTICS, Write Cycle
V CC =5V+10%, unless otherwise specified
28C512/513-12 28C512/513-15
Symbol
Parameter
Min. Max. Min. Max. Units
t WC
t AS
t AH
t CS
t CH
Write Cycle Time
Address Setup Time
Address Hold Time
CE Setup Time
CE Hold Time
0
50
0
0
5
0
50
0
0
5
ms
ns
ns
ns
ns
t CW
(3)
CE Pulse Time
100
100
ns
t OES
t OEH
t WP(3)
t DS
t DH
OE Setup Time
OE Hold Time
WE Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
0
0
100
50
0
0
0
100
50
0
ns
ns
ns
ns
ns
t INIT(1)
Write Inhibit Period After Power-up
5
10
5
10
ms
t BLC(1)(4) Byte Load Cycle Time
0.1
100
0.1
100
μ s
Figure 1. A.C. Testing Input/Output Waveform(2)
VCC - 0.3V
INPUT PULSE LEVELS
0.0 V
Figure 2. A.C. Testing Load Circuit (example)
2.0 V
0.8 V
1.3V
REFERENCE POINTS
1N914
3.3K
DEVICE
UNDER
TEST
CL = 100 pF
OUT
Note:
CL INCLUDES JIG CAPACITANCE
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) Input rise and fall times (10% and 90%) < 10 ns.
(3) A write pulse of less than 20ns duration will not initiate a write cycle.
(4) A timer of duration t BLC max. begins with every LOW to HIGH transition of WE. If allowed to time out, a page or byte write will begin;
however a transition from HIGH to LOW within t BLC max. stops the timer.
? 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
5
Doc. No. MD-1007, Rev . I
相关PDF资料
PDF描述
CAT28F001LI-12T IC FLASH MEM 1MBIT 120NS 32PDIP
CAT28F020G-90T IC FLASH 2MBIT 90NS 32PLCC
CAT28F512L90 IC FLASH MEM 512KB 90NS 32PDIP
CAT28LV256GI-25T IC EEPROM 256KBIT 250NS 32PLCC
CAT28LV64WI-25T IC EEPROM 64KBIT 250NS 28SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
CAT28C512H-12 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 120 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
CAT28C512H-12T 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
CAT28C512H-15 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 150 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
CAT28C512H-15T 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
CAT28C512HA-12 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 120 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8