参数资料
| 型号： | CAT25640VP2I-GT3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 64KB SPI SER 8TDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CAT25640
Table 6. A.C. CHARACTERISTICS ? MATURE PRODUCT
(T A = ? 40 ° C to +85 ° C (Industrial) and T A = ? 40 ° C to +125 ° C (Extended).) (Notes 5, 8)
V CC = 1.8 V ? 5.5 V / ? 40 5 C to +85 5 C
V CC = 2.5 V ? 5.5 V / ? 40 5 C to +125 5 C
V CC = 2.5 V ? 5.5 V
? 40 5 C to +85 5 C
Symbol
f SCK
Parameter
Clock Frequency
Min
DC
Max
5
Min
DC
Max
10
Units
MHz
t SU
t H
t WH
t WL
t LZ
t RI (Note 6)
t FI (Note 6)
t HD
t CD
t V
t HO
t DIS
t HZ
t CS
t CSS
t CSH (Note 8)
t CNS
t CNH
t WPS
t WPH
t WC (Note 7)
Data Setup Time
Data Hold Time
SCK High Time
SCK Low Time
HOLD to Output Low Z
Input Rise Time
Input Fall Time
HOLD Setup Time
HOLD Hold Time
Output Valid from Clock Low
Output Hold Time
Output Disable Time
HOLD to Output High Z
CS High Time
CS Setup Time
CS Hold Time
CS Interactive Setup Time
CS Interactive Hold Time
WP Setup Time
WP Hold Time
Write Cycle Time
40
40
75
75
0
10
0
50
20
30
20
20
10
100
50
2
2
75
50
100
5
20
20
40
40
0
10
0
20
15
20
15
15
10
60
25
2
2
40
20
25
5
ns
ns
ns
ns
ns
m s
m s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
5. AC Test Conditions:
Input Pulse Voltages: 0.3 V CC to 0.7 V CC
Input rise and fall times: ≤ 10 ns
Input and output reference voltages: 0.5 V CC
Output load: current source I OL max /I OH max ; C L = 50 pF
6. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
7. t WC is the time from the rising edge of CS after a valid write sequence to the end of the internal write cycle.
8. All Chip Select (CS) timing parameters are defined relative to the positive clock edge (Figure 2). t CSH timing specification is valid
for die revision E and higher. The die revision E is identified by letter “E” or a dedicated marking code on top of the package. For
previous product revision (Rev. D) the t CSH is defined relative to the negative clock edge.
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| CAT25640YI-GT3JN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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