参数资料
型号: CAT28C256H13I12
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/14页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 256KB PARALLEL 28TSOP
产品变化通告: Catalyst Group Product Obsolescence 26/Apr/2010
标准包装: 234
格式 - 存储器: EEPROMs - 并行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 120ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽)
供应商设备封装: 28-TSOP(8x13.4)
包装: 托盘
CAT28C256
Table 7. A.C. CHARACTERISTICS, WRITE CYCLE (V CC = 5 V ± 10%, unless otherwise specified. )
28C256 ? 12
28C256 ? 15
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Units
t WC
t AS
t AH
t CS
t CH
t CW (Note 10)
t OES
t OEH
t WP (Note 10)
t DS
t DH
Write Cycle Time
Address Setup Time
Address Hold Time
CE Setup Time
CE Hold Time
CE Pulse Time
OE Setup Time
OE Hold Time
WE Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
0
50
0
0
100
0
0
100
50
10
5
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t INIT (Note 11)
t BLC (Notes 11, 12)
Write Inhibit Period After Power ? up
Byte Load Cycle Time
5
0.1
10
100
5
0.1
10
100
ms
m s
10. A write pulse of less than 20 ns duration will not initiate a write cycle.
11. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
12. A timer of duration t BLC max. begins with every LOW to HIGH transition of WE. If allowed to time out, a page or byte write will begin; however
a transition from HIGH to LOW within t BLC max. stops the timer.
V CC ? 0.3 V
0.0 V
INPUT PULSE LEVELS
2.0 V
0.8 V
REFERENCE POINTS
Figure 2. A.C. Testing Input/Output Waveform (Note 13)
13. Input rise and fall times (10% and 90%) < 10 ns.
1.3 V
1N914
3.3 K
DEVICE
UNDER
TEST
C L = 100 pF
OUT
C L INCLUDES JIG CAPACITANCE
Figure 3. A.C. Testing Load Circuit (example)
http://onsemi.com
5
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