参数资料
型号: CAT28C256HI-12T
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/14页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 256KBIT 120NS 28TSOP
标准包装: 1
格式 - 存储器: EEPROMs - 并行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 120ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽)
供应商设备封装: 28-TSOP(8x13.4)
包装: 标准包装
产品目录页面: 808 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: CAT28C256H13I-12TDKR
CAT28C256H13I-12TDKR-ND
CAT28C256HI-12TDKR
CAT28C256
Table 4. MODE SELECTION
Read
Mode
CE
L
WE
H
OE
L
I/O
D OUT
Power
ACTIVE
Byte Write (WE Controlled)
Byte Write (CE Controlled)
L
L
H
H
D IN
D IN
ACTIVE
ACTIVE
Standby and Write Inhibit
Read and Write Inhibit
H
X
X
H
X
H
High ? Z
High ? Z
STANDBY
ACTIVE
Table 5. CAPACITANCE (T A = 25 ° C, f = 1.0 MHz, V CC = 5 V)
Symbol
C I/O (Note 7)
C IN (Note 7)
Test
Input/Output Capacitance
Input Capacitance
Max
10
6
Conditions
V I/O = 0 V
V IN = 0 V
Units
pF
pF
7. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
Table 6. A.C. CHARACTERISTICS, READ CYCLE (V CC = 5 V ± 10%, unless o therwise       specified.)
28C256 ? 12
28C256 ? 15
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Units
t RC
t CE
t AA
t OE
t LZ (Note 8)
t OLZ (Note 8)
t HZ (Notes 8, 9)
t OHZ (Notes 8, 9)
t OH (Note 8)
Read Cycle Time
CE Access Time
Address Access Time
OE Access Time
CE Low to Active Output
OE Low to Active Output
CE High to High ? Z Output
OE High to High ? Z Output
Output Hold from Address Change
120
0
0
0
120
120
50
50
50
150
0
0
0
150
150
70
50
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
9. Output floating (High ? Z) is defined as the state when the external data line is no longer driven by the output buffer.
http://onsemi.com
4
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