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参数资料
| 型号： | CAT28F001HI-12T |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MEM 1MBIT 120NS 32TSOP |
| 产品变化通告： | Catalyst Group Product Obsolescence 26/Apr/2010 |
| 标准包装： | 156 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
CAT28F001
Figure 7. A.C. Timing for Program/Erase Operation
OR ERASE CONFIRM COMMAND
VCC POWER-UP
& STANDBY
WRITE PROGRAM OR
ERASE SETUP COMMAND
WRITE
VALID ADDRESS & DATA (PROGRAM) AUTOMATED PROGRAM
OR ERASE DELAY
READ STATUS
REGISTER DATA
WRITE READ ARRAY
COMMAND
VIH
ADDRESSES (A)
AIN
AIN
VIL
tAVAV
tAVWH
tWHAX
VIH
CE ( E )
VIL
VIH
tELWL
tWHEH
tWHGL
OE ( G )
VIL
WE ( W )
VIH
VIL
tWHWL
tWLWH
tWHQV 1, 2, 3, 4
VIH
HIGH Z
t DVW H
tWHDX
DATA (I/O)
VIL
tPHWL
DIN
DIN
VALID
SRD
DIN
VHH
6.5V
VIH
RP (P)
VIL
VPPH
VPPL
VPP (V)
VIH
VIL
tPHHWH
tVPWH
tQVPH
tQVVL
POWER UP/DOWN PROTECTION
The CAT28F001 offers protection against inadvertent
programming during V PP and V CC power transitions.
When powering up the device there is no power-on
sequencing necessary. In other words, V PP and V CC
may power up in any order. Additionally V PP may be
hardwired to V PPH independent of the state of V CC and
any power up/down cycling. The internal command
register of the CAT28F001 is reset to the Read Mode on
power up.
POWER SUPPLY DECOUPLING
To reduce the effect of transient power supply voltage
spikes, it is good practice to use a 0.1 μ F ceramic
capacitor between V CC and V SS and V PP and V SS . These
high-frequency capacitors should be placed as close as
possible to the device for optimum decoupling.
Doc. No. MD-1078, Rev. K
14
? 2008 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL78302AARLLZ-T | IC REG LDO 2.9V .3A 10DFN |
| CAT28F020H90 | IC FLASH MEM 2MBIT 90NS 32TSOP |
| ACM43DRYF | CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD |
| 3-338310-2 | CONN D-SUB PLUG VERT 15POS |
| RMM03DRKN-S13 | CONN EDGECARD 6POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28F001HI-12TT | 功能描述:闪存 1 Megabit Boot Block 闪存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001HI-90B | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001HI-90BT | 功能描述:闪存 1 Megabit Boot Block 闪存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001HI-90H | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001HI-90T | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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