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参数资料
| 型号： | CAT28F001HI-12T |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MEM 1MBIT 120NS 32TSOP |
| 产品变化通告： | Catalyst Group Product Obsolescence 26/Apr/2010 |
| 标准包装： | 156 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
CAT28F001
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
2 8 F 0 0 1 - 9 0
2 8 F 0 0 1 - 1 2
P a r a m e t e r
B o o t B l o c k E r a s e T i m e
B o o t B l o c k P r o g r a m T i m e
P a r a m e t e r B l o c k E r a s e T i m e
P a r a m e t e r B l o c k P r o g r a m T i m e
M a i n B l o c k E r a s e T i m e
M a i n B l o c k P r o g r a m T i m e
C h i p E r a s e T i m e
C h i p P r o g r a m T i m e
M i n
T y p
2 . 1 0
0 . 1 5
2 . 1 0
0 . 0 7
3 . 8 0
2 . 1 0
1 0 . 1 0
2 . 3 9
M a x
1 4 . 9
0 . 5 2
1 4 . 6
0 . 2 6
2 0 . 9
7 . 3 4
6 5
8 . 3 8
M i n
T y p
2 . 1 0
0 . 1 5
2 . 1 0
0 . 0 7
3 . 8 0
2 . 1 0
1 0 . 1 0
2 . 3 9
M a x
1 4 . 9
0 . 5 2
1 4 . 6
0 . 2 6
2 0 . 9
7 . 3 4
6 5
8 . 3 8
U n i t s
S e c
S e c
S e c
S e c
S e c
S e c
S e c
S e c
FUNCTION TABLE (1)
Pins
Mode
Read
Output Disable
Standby
Signature (MFG)
Signature (Device)
RP
V IH
V IH
V IH
V IH
V IH
CE
V IL
V IL
V IH
V IL
V IL
OE
V IL
V IH
X
V IL
V IL
WE
V IH
V IH
X
V IH
V IH
V PP
X
X
X
X
X
I/O
D OUT
High-Z
High-Z
31H
94H-28F001T
Notes
A 0 = V IL , A 9 = 12V
A 0 = V IH , A 9 = 12V
95H-28F001B
Write Cycle
Deep Power Down
V IH
V IL
V IL
X
V IH
X
V IL
X
X
X
D IN
HIGH-Z
During Write Cycle
WRITE COMMAND TABLE
Commands are written into the command register in one or two write cycles. Write cycles also internally latch
addresses and data required for programming and erase operations.
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Mode
Read Array/Reset
Operation Address D IN
Write
X
FFH
Operation
Address D IN
D OUT
Program Setup/
Write
A IN
40H
Write
A IN
D IN
Program
10H
Read Status Reg.
Write
X
70H
Read
X
St. Reg. Data
Clear Status Reg.
Write
X
50H
Erase Setup/Erase
Write
Block ad
20H
Write
Block ad
D0H
Confirm
Erase Suspend/
Write
X
B0H
Write
X
D0H
Erase Resume
Read Sig (Mfg)
Read Sig (Dev)
Write
Write
X
X
90H
90H
Read
Read
0000H
0001H
31H
94H-28F001T
95H-28F001B
Note:
(1) Logic Levels: X = Logic ‘Do not care’ (V IH , V IL , V PPL , V PPH )
? 2008 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
7
Doc. No. MD-1078, Rev. K
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL78302AARLLZ-T | IC REG LDO 2.9V .3A 10DFN |
| CAT28F020H90 | IC FLASH MEM 2MBIT 90NS 32TSOP |
| ACM43DRYF | CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD |
| 3-338310-2 | CONN D-SUB PLUG VERT 15POS |
| RMM03DRKN-S13 | CONN EDGECARD 6POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28F001HI-12TT | 功能描述:闪存 1 Megabit Boot Block 闪存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001HI-90B | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001HI-90BT | 功能描述:闪存 1 Megabit Boot Block 闪存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001HI-90H | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001HI-90T | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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