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参数资料
| 型号： | CBC-EVAL-05 |
| 厂商： | Cymbet Corporation |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ENERCHIP CC EVAL KIT |
| 产品培训模块： | Energy Processing and Solid State Batteries for Energy Harvesting |
| 特色产品： | EnerChip? CC Evaluation Kit |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | EnerChip™ CC |
| 主要目的： | 电源管理，电池充电器 |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | CBC3112，CBC3150 |
| 主要属性： | 薄膜充电式固态电池 |
| 次要属性： | 12 µAh 和 50 µAh 容量电池 |
| 已供物品： | 板 |
| 相关产品： | 859-1010-6-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN 859-1008-6-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN 859-1010-1-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN 859-1008-1-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN CBC3150-D9C-TR5-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN 859-1008-2-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN CBC3112-D7C-TR5-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN 859-1010-2-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN 859-1007-5-ND - IC BATT SOLID ST ENERCHIP 20DFN |
| 其它名称： | 859-1001 |
EnerChip CC CBC3112
POWER SUPPLY CURRENT CHARACTERISTICS
Ta = -20oC to +70oC
CHARACTERISTIC
SYMBOL
CONDITION
MIN
MAX
UNITS
Quiescent Current
I Q
ENABLE=GND
ENABLE=V DD
V DD =3.3V
V DD =5.5V
V DD =3.3V
V DD =5.5V
-
-
-
-
3.5
6.0
35
38
μA
μA
μA
μA
EnerChip Cutoff Current
I QBATOFF
I QBATON
V BAT < V BATCO ,
V OUT =0
V BAT > V BATCO ,
ENABLE=V DD , I OUT =0
-
-
0.5
42
nA
nA
INTERFACE LOGIC SIGNAL CHARACTERISTICS
V DD = 2.5V to 5.5V, T a = -20oC to +70oC
CHARACTERISTIC
High Level Input Voltage
Low Level Input Voltage
High Level Output Voltage
Low Level Output Voltage
Logic Input Leakage Current
SYMBOL
V IH
V IL
V OH
V OL
I IN
CONDITION
-
-
V DD >V TH (see Figures 4
and 5) I L =10μA
I L = -100μA
0<V IN <V DD
MIN
V DD - 0.5
-
V DD -
0.04V (1)
-
-1.0
MAX
-
0.5
-
0.3
+1.0
UNITS
Volts
Volts
Volts
Volts
nA
(1)
RESET tracks V DD ; RESET = V DD - (I OUT x R OUT ).
RESET SIGNAL AC/DC CHARACTERISTICS
V DD = 2.5V to 5.5V, T a = -20oC to +70oC
CHARACTERISTIC
V DD Rising to RESET
Rising
V DD Falling to RESET
Falling
Mode 1 TRIP V
V DD Rising
Mode 2 TRIP V (2)
V DD Rising
RESET Hysteresis
Voltage (3)
(V DD to RESET)
SYMBOL
t RESETH
t RESETL
V RESET
V RESET
V HYST
CONDITION
V DD rising from 2.8V TO 3.1V
in <10μs
V DD falling from 3.1V to 2.8V
in <100ns
V MODE = GND
V MODE = V DD /2
V MODE =V DD
V MODE =GND
V MODE = V DD /2
MIN
60
0.5
2.80
2.25
60
45
30
MAX
200
2
3.20
2.60
100
75
50
UNITS
ms
μs
V
V
mV
(2)
(3)
User-selectable trip voltage can be set by placing a resistor divider from the V MODE pin to GND. Refer to Figure 8.
The hysteresis is a function of trip level in Mode 2. Refer to Figure 9.
DS-72-04 Rev F
?2009-2013 Cymbet Corporation ? Tel: +1-763-633-1780 ? www.cymbet.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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