- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223569 > CD4023BM (NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP) Buffered Triple 3-Input NAND,NOR Gate PDF资料下载
参数资料
| 型号： | CD4023BM |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 门电路 |
| 英文描述： | Buffered Triple 3-Input NAND,NOR Gate |
| 中文描述： | NAND GATE, CDIP14 |
| 封装： | CERAMIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | CD4023BM |
Absolute Maximum Ratings (Notes12)
If MilitaryAerospace specified devices are required
please contact the National Semiconductor Sales
OfficeDistributors for availability and specifications
DC Supply Voltage (VDD)
b
05 VDC to a18 VDC
Input Voltage (VIN)
b
05 VDC to VDDa05 VDC
Storage Temp Range (TS)
b
65 Cto a150 C
Power Dissipation (PD)
Dual-In-Line
700 mW
Small Outline
500 mW
Lead Temperature (TL)
(Soldering 10 seconds)
260 C
Recommended Operating
Conditions
DC Supply Voltage (VDD)5 VDC to 15 VDC
Input Voltage (VIN)0 VDC to VDD VDC
Operating Temperature Range (TA)
CD4023BM CD4025BM
b
55 Cto a125 C
CD4023BC CD4025BC
b
40 Cto a85 C
DC Electrical Characteristics CD4023BM CD4025BM (Note 2)
Symbol
Parameter
Conditions
b
55 C
a
25 C
a
125 C
Units
Min
Typ
Min
Typ
Max
Min
Max
IDD
Quiescent Device Current VDD e 5V
025
0004
025
75
m
A
VDD e 10V
05
0005
05
15
m
A
VDD e 15V
10
0006
10
30
m
A
VOL
Low Level Output Voltage VDD e 5V
005
0
005
V
VDD e 10V
005
0
005
V
VDD e 15V
005
0
005
V
VOH
High Level Output Voltage VDD e 5V
495
5
495
V
VDD e 10V
995
10
995
V
VDD e 15V
1495
15
1495
V
VIL
Low Level Input Voltage
VDDe5V VOe45V
15
2
15
V
VDDe10V VOe90V
lIOlk1mA
30
4
30
V
VDDe15V VOe135V
(
40
6
40
V
VIH
High Level Input Voltage
VDDe5V VOe05V
35
3
35
V
VDDe10V VOe10V
lIOlk1mA 70
70
6
70
V
VDDe15V VOe15V
(
110
9
110
V
IOL
Low Level Output Current VDDe5V VO e 04V
064
051
088
036
mA
(Note 3)
VDD e 10V VO e 05V
16
13
22
090
mA
VDD e 15V VO e 15V
42
34
8
24
mA
IOH
High Level Output Current VDD e 5V VO e 46V
b
064
b
051 b088
b
036
mA
(Note 3)
VDD e 10V VO e 95V
b
16
b
13
b
22
b
090
mA
VDD e 15V VO e 135V
b
42
b
34
b
8
b
24
mA
IIN
Input Current
VDD e 15V VIN e 0V
b
010
b
10b5 b010
b
10
m
A
VDD e 15V VIN e 15V
010
10b5
010
10
m
A
Schematic Diagram
CD4023BCCD4023BM
TLF5956 – 3
Device Shown
All Inputs Protected
by Standard CMOS Input
Protection Circuit
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CD4043BC | Quad TRI-STATE NOR(NAND) R/S Latches |
| CD4046BC | Micropower Phase-Locked Loop |
| CD4051BD | 8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16 |
| CD4051BM | 8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, PDSO16 |
| CD4066BC | Quad Bilateral Switch |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CD4023BM96 | 功能描述:逻辑门 CMOS Triple 3-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| CD4023BM96E4 | 功能描述:逻辑门 CMOS Triple 3-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| CD4023BM96G4 | 功能描述:逻辑门 CMOS Triple 3-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| CD4023BME4 | 功能描述:逻辑门 CMOS Triple 3-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| CD4023BMG4 | 功能描述:逻辑门 CMOS Triple 3-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。