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参数资料
| 型号： | CDBD660-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 89K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 6A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 6A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 750mV @ 6A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 60V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
      Parameter Symbol Unit Repetitive peak reverse voltage Continuous reverse voltage RMS voltage Forward rectified current (See fig. 1) Maximum forward voltage I F=6.0A Forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) VR=VRRM TA=25°C Thermal resistance J unction t o c ase Reverse current VR=VRRM TA=100°C Page 1 QW-BB032 Chip Schottky Barrier Rectifier REV:A Comchip Technology CO., LTD. VRRM VR VRMS IO VF IFSM IR RθJA TJ 620-G 20 20 14 40 40 28 60 60 42 6.0 0.75 75 0.5 20 80 80 80 56 100 100 70 V V V A V A mA °C/W °C 0.55 0.85 Operating temperature Storage temperature TSTG -65 to +175 °C -55 to +125 -55 to +150 3.0 Features 1 3 2=4 Dimensions in inches and ( millimeters) DPAK 0.217(5.50) 0.201(5.10) 0.264(6.70) 0.248(6.30) 0.114(2.90) 0.098(2.50) 0.244(6.20) 0.228(5.80) 0.048(1.20) 0.031(0.80) 0.185(4.70) 0.169(4.30) 0.039(1.00) 0.031(0.80) 0.024(0.60) 0.016(0.40) 0.024(0.60) 0.016(0.40) 0.098(2.50) 0.083(2.10) 0.032(0.80) 0.016(0.40) Reverse V oltage: 20 to 100 Volts Forward Current: 6.0 Amp RoHS Device CDBD620-G Thru. CDBD6100-G Mechanical data -Case: TO-252/DPAK, molded plastic. -Terminals: solderable per MIL-STD-750, method 2026. -Polarity: Indicated by cathode band. -Weight:0.34 gram(approx.). -Weunting Position: Any Maximum Ratings (At Ta=25°C, unless otherwise noted) CDBD 640-G CDBD 650-G CDBD 660-G CDBD 680-G CDBD 6100-G CDBD 50 50 35 RθJC J unction t o a mbient °C/W -Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. -Low profile surface mounted application in order to -optimize board space. Low power loss, high efficiency. -High current capability, low forward voltage drop. -High surge capability. -Guardring for overvoltage protection. -Ultra high-speed switching. -Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction. -Lead-free parts meet environmental standards of MIL-STD-19500 /228 IR mA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDBD8100-G | DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK |
| CDBER00340-HF | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 0503 |
| CDBER00340 | DIODE SCHOTTKY SS 30MA 40V 0503 |
| CDBER0130L-HF | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0503 |
| CDBER0130L | DIODE SCHOTTKY 100MA 30V 0503 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBD680-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Chip Schottky Barrier Rectifier |
| CDBD8060-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=60V, IO=8A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBD8060-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Chip Schottky Barrier Rectifier |
| CDBD8100-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=100V, IO=8A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBD8100-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Chip Schottky Barrier Rectifier |
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