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参数资料
| 型号： | CDBMH3100-HF |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 163K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD-123T |
| 特色产品： | SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 850mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | SOD-123T |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 641-1435-6 |
      =25 O C unless otherwise noted) Maximum Ratings (at T A Parameter Symbol 3100-HF Unit Repetitive peak reverse voltage Continuous reverse voltage RMS voltage Max. Forward rectified current Maximum forward voltage at IF=3.0A Max. Forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) V R=VRRM TJ=25°C Max.Reverse current V R=VRRM TJ=100°C Typ. Thermal resistance Typ. Diode Junction capacitance (Note 1) Reverse V oltage: 20 to 100 Volts Forward Current: 3.0 Amp RoHS Device Dimensions in inches and (millimeter) CDBMH320-HF Thru. CDBMH3100-HF Page 1 QW-JB015 SMD Schottky Barrier Rectifiers REV:A Comchip Technology CO., LTD. SOD-123T 0.154(3.9) 0.138(3.5) 0.012(0.3) Typ. 0.071(1.8) 0.055(1.4) 0.067(1.7) 0.051(1.3) 0.040(0.1) 0.096(2.4) VRRM VR VRMS IO VF IFSM IR RθJC CJ TJ CDBMH CDBMH 320-HF CDBMH CDBMH 340-HF CDBMH CDBMH CDBMH 360-HF 380-HF 20 20 14 40 40 28 60 60 42 3.0 0.70 80 0.2 20 30 80 80 56 100 100 70 V V V A V A mA O C/W OC 0.50 0.85 Note : 1. F=1MHz and applied 4V DC reverse voltage Mechanical data -Case: Molded plastic, SOD-123T/Mini SMA. -T erminals: Solderable per MIL-STD-750, method 2026. -Polarity: Indicated by cathode band. -W eight: 0.018 grams approx. Operating temperature Storage temperature range TSTG -65 to +175 OC -55 to +125 -55 to +150 250 PF 330-HF 30 30 21 350-HF 50 50 35 0.080(2.0) 0.024(0.6) 0.008(0.20) Typ. 0.044(1.10) 0.028(0.70) 0.036(0.9) 0.064(1.6) 0.048(1.2) 0.020(0.5) 0.0375(0.95) 0.0296(0.75) 0.052(1.3) 0.036(0.9) 0.024(0.6) Typ. SMD Diodes Specialist IR Halogen Free Features -Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. -Low profile surface mounted application in order to optimize board space. -Low power loss, high efficiency. -High current capability, low forward voltage drop. -High surge capability. -Guardring for overvoltage protection. -Ultra high-speed switching. -Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction. -Lead-free parts meet environmental standards of MIL-STD-19500/228 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDBMH340-G | DIODE SCHOTTKY 40V 3.0A SOD123T |
| CDBMHT180-HF | DIODE SCHOTTKY 80V 1.0A SOD123HT |
| CDBMT1150-HF | DIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123H |
| CDBMT180-HF | DIODE SCHOTTKY 80V 1.0A SOT123H |
| CDBMT240L-G | DIODE SCHOTTKY 40V 2.0A SOT123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBMH320-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 IO=3A VR=20 Low profile SMD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBMH320-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 IO=3A VR=20 SMD SCHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBMH320-HF_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBMH320-HF_1209 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBMH330-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 IO=3A VR=30 Low profile SMD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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