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参数资料
型号： CDBMT280-HF
厂商： Comchip Technology
文件页数： 1/4页
文件大小： 92K
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 2.0A SOT123H
标准包装： 3,000
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 80V
电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 850mV @ 2A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 500µA @ 80V
电容@ Vr, F： 160pF @ 4V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123H
供应商设备封装： SOD-123H
包装： 带卷 (TR)
Maximum Ratings
(at TA=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
CDBMT
220-HF
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous reverse voltage
RMS voltage
Forward rectified current
Maximum forward voltage
@ IF=2.0A
Max. Forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC method)
V
R=VRRM
TJ=25°C
Max.Reverse current
V
R=VRRM
TJ=100°C
Typ. Thermal resistance
(Junction to ambient)
Typ. Diode Junction capacitance (Note 1)
Reverse V
oltage: 20 to 100 Volts
Forward Current: 2.0
Amp
RoHS Device
Halogen Free
Dimensions
in
inches
and
(millimeter)
CDBMT220-HF Thru. CDBMT2100-HF
Page 1
QW-JB026
Low Profile SMD Schottky Barrier Rectifiers
REV: A
Comchip Technology CO., LTD.
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012(0.3) Typ.
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031(0.8) Typ.
VRRM
VR
VRMS
IO
VF
IFSM
IR
RθJA
CJ
TJ
CDBMT
240-HF
CDBMT
260-HF
CDBMT
280-HF
CDBMT
2100-HF
20
20
14
40
40
28
60
60
42
2.0
0.70
50
0.5
10
85
80
80
56
100
100
70
V
V
V
A
V
A
mA
O
C/W
OC
0.50
0.85
Note :
1. F=1MHz and applied 4V DC reverse voltage
Operating temperature
Storage temperature range
TSTG
-65 to +175
OC
-55 to +125
-55 to +150
160
PF
CDBMT
230-HF
30
30
21
CDBMT
250-HF
50
50
35
0.031(0.8) Typ.
Features
Mechanical data
-Case: Molded plastic, SOD-123H/MINI SMA
-T
erminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026.
-Polarity: Indicated by cathode band.
-W
eight: 0.011 grams approx.
-Mounting Position: any
-Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant.
-Low power loss,high ef
ficiency.
-High current capability,low forward voltage drop.
-High surge capability
.
-Guarding for overvoltage protection.
-Ultra high-speed switching.
-Excellent power dissipation of
fers better reverse
leakage current and thermal resistance.
-Low profile package is 40% thinner than standards
SOD-123.
-Silicon epitaxial planar chip,metal silicon junction.
-Lead-free part meets environmental standards of
MIL-STD-19500/228
相关PDF资料
PDF描述
CDBMTS1150-HF DIODE SCHOTTKY 150V 1.0A SOD123S
CDBMTS280-HF DIODE SCHOTTKY 80V 2.0A SOD123S
CDBQR00340-HF DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 0402
CDBQR00340 DIODE SCHOTTKY 30MA 40V 0402
CDBQR0130L-HF DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0402
相关代理商/技术参数
参数描述
CDBMTS1100-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODES RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMTS1150-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMTS1200-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMTS120-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMTS130-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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