参数资料
| 型号： | CDCR83DBQ |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIRECT RAMBUS CLK GEN 24-QSOP |
| 标准包装： | 50 |
| 类型： | 时钟/频率发生器，多路复用器 |
| PLL： | 是 |
| 主要目的： | 存储器，RDRAM |
| 输入： | TTL |
| 输出： | 时钟 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:1 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/是 |
| 频率 - 最大： | 400MHz |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SSOP/QSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 881 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-12165-5 |
CDCR83
DIRECT RAMBUS CLOCK GENERATOR
SCAS632B APRIL 2001 REVISED OCTOBER 2005
6
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
electrical characteristics over recommended operating free-air temperature range (unless
otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
VO(STOP)
Output voltage during CLK Stop
(STOPB = 0)
See Figure 1
1.1
2
VO(X)
Output crossing-point voltage
See Figure 1 and Figure 6
1.3
1.8
V
VO
Output voltage swing
See Figure 1
0.4
0.6
V
VIK
Input clamp voltage
VDD = 3.135 V,
II = 18 mA
1.2
V
See Figure 1
2
VOH
High-level output voltage
VDD = min to max,
IOH = 1 mA
VDD 0.1 V
V
VOH
High-level output voltage
VDD = 3.135 V,
IOH = 16 mA
2.4
V
See Figure 1
1
VOL
Low-level output voltage
VDD = min to max,
IOL = 1 mA
0.1
V
VOL
Low-level output voltage
VDD = 3.135 V,
IOL = 16 mA
0.5
V
VDD = 3.135 V,
VO = 1 V
32
52
IOH
High-level output current
VDD = 3.3 V,
VO = 1.65 V
51
mA
IOH
High-level output current
VDD = 3.465 V,
VO = 3.135 V
14.5
21
mA
VDD = 3.135 V,
VO = 1.95 V
43
61.5
IOL
Low-level output current
VDD = 3.3 V,
VO = 1.65 V
65
mA
IOL
Low-level output current
VDD = 3.465 V,
VO = 0.4 V
25.5
36
mA
IOZ
High-impedance-state output
current
S0 = 0,
S1 = 1
±10
A
IOZ(STOP)
High-impedance-state output
current during CLK stop
Stop = 0, VO = GND or VDD
±100
A
IOZ(PD)
High-impedance-state output
current in power-down state
PWRDNB = 0,
VO = GND or VDD
10
100
A
IIH
High-level
REFCLK, PCLKM,
SYNCLKN, STOPB
VDD = 3.465 V,
VI = VDD
10
A
IIH
High-level
input current
PWRDNB, S0, S1,
S2, MULT0, MULT1
VDD = 3.465 V,
VI = VDD
10
A
IIL
Low-level
REFCLK, PCLKM,
SYNCLKN, STOPB
VDD = 3.465 V,
VI = 0
10
A
IIL
Low-level
input current
PWRDNB, S0, S1,
S2, MULT0, MULT1
VDD = 3.465 V,
VI = 0
10
A
ZO
Output
High state
RI at IO 14.5 mA to 16.5 mA
15
35
50
ZO
Output
impedance
Low state
RI at IO 14.5 mA to 16.5 mA
11
17
35
Reference
VDDIR, VDDIPD
VDD = 3.465 V
PWRDNB = 0
50
A
Reference
current
VDDIR, VDDIPD
VDD = 3.465 V
PWRDNB = 1
0.5
mA
CI
Input capacitance
VI = VDD or GND
2
pF
CO
Output capacitance
VO = VDD or GND
3
pF
IDD(PD)
Supply current in power-down state
REFCLK = 0 MHz to 100 MHz,
PWDNB = 0,
STOPB = 1
100
A
IDD(CLKSTOP) Supply current in CLK stop state
BUSCLK configured for 400 MHz
30
mA
IDD(NORMAL)
Supply current in normal state
BUSCLK = 400 MHz
70
mA
VDD refers to any of the following; VDD, VDDIPD, VDDIR, VDDO, VDDC, and VDDP
All typical values are at VDD = 3.3 V, TA = 25°C.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CDCR83DBQR | 功能描述:时钟发生器及支持产品 400MHz Direct Rambus (TM) Clock Gen RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:Clock Generators 最大输入频率:14.318 MHz 最大输出频率:166 MHz 输出端数量:16 占空比 - 最大:55 % 工作电源电压:3.3 V 工作电源电流:1 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-56 |
| CDCR83DBQRG4 | 功能描述:时钟发生器及支持产品 400MHz Direct Rambus (TM) Clock Gen RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:Clock Generators 最大输入频率:14.318 MHz 最大输出频率:166 MHz 输出端数量:16 占空比 - 最大:55 % 工作电源电压:3.3 V 工作电源电流:1 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-56 |
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| CDCS501PW | 功能描述:时钟发生器及支持产品 Clock Driver w/ Opt Spread-Spect Clock RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:Clock Generators 最大输入频率:14.318 MHz 最大输出频率:166 MHz 输出端数量:16 占空比 - 最大:55 % 工作电源电压:3.3 V 工作电源电流:1 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-56 |
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