参数资料
| 型号： | CDM-22 |
| 厂商： | Curtis Industries |
| 文件页数： | 28/82页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TERM BLOCK HI CURRENT 22CIRC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | CDM |
| 端接块类型： | 阻隔块 |
| 电路数： | 22 |
| 导线入口数目： | 44 |
| 间距： | 0.546"（13.86mm） |
| 行数： | 2 |
| 电流： | 30A |
| 电压： | 600V |
| 线规： | 10-22 AWG |
| 顶部端子： | 螺钉 |
| 底部端子： | 闭合式 |
| 阻挡层类型： | 双壁（双） |
| 特点： | 法兰，标记条 |
| 包装： | 散装 |
| 安装类型： | 底座安装或面板安装 |
| 工作温度： | 130°C |
| 材料 - 绝缘体： | 热塑性聚酯 |
| 材料可燃性额定值： | UL94 V-0 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页
Series GB/GFT
Series GFT/GB Accessories
QUICK-CONNECT
TERMINALS
GFT-GFT – Available with
.250" x .032" quick-connect
tabs of tin-plated brass,
held in place by terminal
.070 (1,78) Dia.
Holes (2)
.125
(3,175)
1.50
(38,1)
.186
(4,72)
.035
(,889)
.175 (6,35)
.350
Part No. TB21
screws . Six styles . . . one
to six terminations per
pole . Factory-assembled or
customer installed . Last digit
of part number corresponds
to previous style numbers .
TB21
90°
.500
(12,70)
(4,45)
(8,89)
.250 .750
(19,05)
.201 (5,11) Dia. Hole
.839
(21,31)
45°
TB22
Part No. TB22
TB26
Part No. TB26
1.25
(31,75)
45°
TB23
TB24
TB25
Part No. TB23
.986
(25,04)
.231
(5,87)
Part No. TB24
.480
(12,19)
90°
Part No. TB25
26
www .curtisind .com
Curtis Industries
A Division of Powers Holdings, Inc.
Specifications subject to change.
Dimensions are shown for
reference purposes only .
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IL-G-9S-S3C2-SA | CONN RCPT HOUSING 9POS 2.5MM |
| MAT-23 | TERM BARRIER 23CIRC DUAL ROW |
| TG6050-25-25-2 | THERMAL PAD 25X25X2MM |
| CT-17 | HIGH CURRENT 17 CIRC BLOCK |
| MALQ-19 | TERM BARRIER 19CIRC DUAL ROW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDM22010-650 SL | 功能描述:MOSFET N-CH 10A 650V TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1168pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| CDM22011-600LRFP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.05nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:763pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
| CDM22012-800LRFP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
| CDM2205-800FP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
| CDM2206-800LR SL | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:* 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。