参数资料
| 型号： | CDM-22 |
| 厂商： | Curtis Industries |
| 文件页数： | 74/82页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TERM BLOCK HI CURRENT 22CIRC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | CDM |
| 端接块类型： | 阻隔块 |
| 电路数： | 22 |
| 导线入口数目： | 44 |
| 间距： | 0.546"（13.86mm） |
| 行数： | 2 |
| 电流： | 30A |
| 电压： | 600V |
| 线规： | 10-22 AWG |
| 顶部端子： | 螺钉 |
| 底部端子： | 闭合式 |
| 阻挡层类型： | 双壁（双） |
| 特点： | 法兰，标记条 |
| 包装： | 散装 |
| 安装类型： | 底座安装或面板安装 |
| 工作温度： | 130°C |
| 材料 - 绝缘体： | 热塑性聚酯 |
| 材料可燃性额定值： | UL94 V-0 |
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Screwless
Ground
6402000
2.5/5
6404000
4/6
6406000
6/8
? Plastic Body: Polyamide 66.6 VO
? Internal Bus: Tin-plated copper
? Spring: Stainless steel
? Foot: Tin-plated brass
? Tracking Resistance:
IEC 112: CTI > 600
VDE 0303: KB > 600
Dimensions
Stripping Length
Connecting Capacity
Gauges
53 mm (L) x 28.5 mm (H) x
5 mm (W)
12 mm
Solid conductors mm 2 1-2.5
Stranded conductors
mm 2 1-2.5
A3
58 mm (L) x 34.5 mm (H) x
6 mm (W)
15 mm
Solid conductors mm 2 1-2.4
Stranded conductors
mm 2 1-2.4
A4
63 mm (L) x 36.5 mm (H) x
8 mm (W)
15 mm
Solid conductors mm 2 2.5-6
Stranded conductors
mm 2 2.5-6
A5
Approvals
Wire Range
24-12 AWG
24-12 AWG
2.5 mm 2
24-10 AWG
24-10 AWG
4 mm 2
22-8 AWG
22-8 AWG
6 mm 2
Voltage Rating
Current Rating
ACCESSORIES
Available
Cat. No.
6402000 – Yellow-Green
Cat. No.
6404000 – Yellow-Green
Cat. No.
64062000 – Yellow-Green
Colors
End Plate
Qty. pk. 25
End Bracket
Qty. pk. 50
6800020 – 50 mm (L) x
23 mm (H) x 1.5 mm (W)
6804150 – 58 mm (L) x
36 mm (H) x 9 mm (W)
6800021 – 50 mm (L) x
23 mm (H) x 1.5 mm (W)
6804150 – 58 mm (L) x
36 mm (H) x 9 mm (W)
6800022 – 50 mm (L) x
23 mm (H) x 1.5 mm (W)
6804150 – 58 mm (L) x
36 mm (H) x 9 mm (W)
72
www.curtisind.com
Curtis Industries
A Division of Powers Holdings, Inc.
Specifications subject to change.
Dimensions are shown for
reference purposes only.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IL-G-9S-S3C2-SA | CONN RCPT HOUSING 9POS 2.5MM |
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| CT-17 | HIGH CURRENT 17 CIRC BLOCK |
| MALQ-19 | TERM BARRIER 19CIRC DUAL ROW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDM22010-650 SL | 功能描述:MOSFET N-CH 10A 650V TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1168pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| CDM22011-600LRFP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.05nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:763pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
| CDM22012-800LRFP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
| CDM2205-800FP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
| CDM2206-800LR SL | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:* 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
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