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参数资料
| 型号： | CET3906E |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 1 X 0.40 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, TLP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | CET3906E |
NPN
PNP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VCE(SAT)IC=50mA, IB=5.0mA
0.100
0.200
V
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
0.65
0.75
0.85
V
VBE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
0.85
0.95
V
hFE
VCE=1.0V, IC=0.1mA
90
240
130
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0mA
100
235
150
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
215
150
300
hFE
VCE=1.0V, IC=50mA
70
110
120
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
30
50
55
fT
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
300
MHz
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
4.0
pF
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
8.0
pF
hie
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
1.0
12
k Ω
hre
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
0.1
10
X10-4
hfe
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
100
400
hoe
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
1.0
60
μS
NF
VCE=5.0V, IC=100μA, RS =1.0KΩ,
4.0
dB
f=10Hz to 15.7kHz
td
VCC=3.0V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1.0mA
35
ns
tr
VCC=3.0V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1.0mA
35
ns
ts
VCC=3.0V, IC=10mA, IB1=IB2=1.0mA
200
ns
tf
VCC=3.0V, IC=10mA, IB1=IB2=1.0mA
50
ns
Central
Semiconductor Corp.
TM
R1 (5-MAY 2008)
SOT-883L - MECHANICAL OUTLINE
LEAD CODE:
1) BASE
2) EMITTER
3) COLLECTOR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued:
CET3904E NPN
CET3906E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
COMPLEMENTARY PICOminiTM
SILICON TRANSISTORS
Enhanced specification
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CKRA4830-10 | |
| CKRD4830-10 | |
| CKRD4820-10 | |
| CKRD4810-10 | |
| CKRA4810E | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CET3906E TR | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-883L T/R |
| CET4 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:CET4 / 038892-0000 / Tools |
| CET-4 | 功能描述:TOOL EXTRACTION RoHS:否 类别:工具 >> 插入，抽取 系列:* 标准包装:1 系列:* 其它名称:0011-03-00080011-03-0008-E00110300080011030008-E11-03-0008-E1103000811030008-EQ4729393AT0980176A |
| CET4301 | 制造商:CET 制造商全称:Chino-Excel Technology 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CET4401B | 制造商:CET 制造商全称:Chino-Excel Technology 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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