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参数资料
| 型号： | cfy 35 |
| 厂商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs FET(N沟道砷化稼场效应管) |
| 中文描述： | 砷化镓场效应管（不适用沟道砷化稼场效应管） |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | CFY 35 |
CFY 35
Data Book
2
03.00
Electrical Characteristics
T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Conditions
min.
typ.
max.
Drain-source saturation
current
I
DSS
10
25
45
mA
V
DS
= 2.5 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V
I
D
= 1 mA
V
DS
= 2.5 V
I
D
= 10 mA
V
DS
= 2.5 V
I
D
= 10 mA
V
DS
= 2.5 V
I
D
= 10 mA
f
= 12 GHz
Pinch-off voltage
V
GS(P)
– 0.2
– 1.2
– 2.5
V
Transconductance
g
m
20
30
–
mS
Gate leakage current
I
G
–
0.1
2
μ
A
Noise figure
CFY 35-20
CFY 35-23
F
–
–
1.9
2.2
2.0
2.3
dB
Associated gain
G
a
8
8.5
–
dB
V
DS
= 2.5 V
I
D
= 10 mA
f
= 12 GHz
Typical Common Source Noise Parameters
I
D
= 10 mA,
V
DS
= 2.5 V,
Z
0
= 50
f
F
min
G
a
G
opt
R
n
r
n
N
F
50
dB
G
(
F
50
)
dB
GHz
dB
dB
MAG
ANG
–
–
2
0.60
17.6
0.82
32
35
0.7
0.08
2.35
12.9
4
0.83
14.2
0.73
65
25
0.5
0.11
2.30
11.2
6
1.10
11.8
0.65
105
14
0.28
0.14
2.35
9.5
8
1.38
10.5
0.60
146
5.5
0.11
0.19
2.55
7.8
10
1.64
9.4
0.58
– 177
3
0.06
0.22
2.80
6.5
12
1.90
8.5
0.61
– 139
10
0.2
0.28
3.50
4.9
14
2.15
7.9
0.62
– 110
26
0.52
0.33
3.95
3.8
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