参数资料
型号: CFY25
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
中文描述: 伊雷尔X波段功率低噪声/通用场效应晶体管
文件页数: 5/8页
文件大小: 2088K
代理商: CFY25
CFY25
Semiconductor Group
5 of 8
Draft D, Sep. 0000
Typical Common Source S-Parameters CFY25-20
V
DS
= 3 V, I
D
= 15 mA, Z
o
= 50
|S21|
<S21
|S12|
[magn
]
]
]
3,301
160
0,0170
3,208
155
0,0287
3,107
148
0,0398
3,016
139
0,0502
2,950
130
0,0602
2,877
120
0,0691
2,795
111
0,0767
2,708
102
0,0834
2,621
93
0,0893
2,537
84
0,0939
2,451
76
0,0975
2,365
68
0,1000
2,281
60
0,1017
2,202
52
0,1035
2,133
45
0,1049
2,072
38
0,1056
2,020
30
0,1063
1,976
23
0,1068
1,933
16
0,1076
1,896
9
0,1080
1,859
2
0,1084
1,826
-5
0,1090
1,797
-13
0,1097
1,767
-20
0,1105
1,738
-27
0,1114
1,708
-34
0,1125
1,678
-41
0,1138
1,651
-49
0,1149
1,627
-56
0,1161
1,607
-63
0,1180
1,589
-70
0,1198
1,570
-78
0,1219
1,552
-86
0,1242
1,548
-92
0,1266
1,554
-98
0,1292
1,562
-102
0,1319
f
|S11|
<S11
[angle
]
-22
-28
-36
-45
-56
-67
-78
-88
-98
-108
-117
-126
-135
-143
-150
-158
-166
-174
178
170
162
153
145
137
130
122
114
106
98
90
82
73
65
57
51
47
<S12
[angle
]
71
64
59
53
47
42
36
31
25
20
15
10
5
1
-3
-6
-10
-13
-16
-20
-23
-26
-29
-33
-36
-40
-43
-47
-51
-55
-59
-64
-69
-74
-78
-81
|S22|
[magn
]
0,683
0,673
0,660
0,648
0,635
0,621
0,603
0,590
0,573
0,562
0,549
0,539
0,529
0,521
0,511
0,504
0,495
0,484
0,474
0,463
0,452
0,443
0,436
0,431
0,426
0,421
0,419
0,417
0,413
0,410
0,408
0,404
0,402
0,398
0,396
0,394
<S22 k-Fact. S
21
/S
12
[angle
]
-14
0,44
-18
0,50
-23
0,54
-29
0,56
-35
0,55
-41
0,56
-48
0,58
-54
0,61
-60
0,64
-67
0,66
-73
0,69
-80
0,72
-86
0,77
-91
0,81
-96
0,87
-101
0,92
-106
0,97
-111
1,02
-116
1,06
-121
1,11
-127
1,16
-133
1,19
-140
1,22
-147
1,24
-153
1,27
-159
1,30
-166
1,32
-172
1,34
-178
1,36
176
1,37
170
1,37
164
1,37
157
1,36
152
1,35
147
1,32
143
1,28
MAG
[dB]
[GHz] [magn
]
[angle
[magn
[magn]
[dB]
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
0,958
0,931
0,901
0,875
0,858
0,838
0,815
0,794
0,776
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0,718
0,703
0,689
0,674
0,661
0,650
0,640
0,629
0,620
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0,564
0,564
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12,8
12,7
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12,2
12,1
12,0
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11,5
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7,7
7,6
7,5
7,4
7,4
7,4
7,6
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PDF描述
CFY25-20 HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-20P HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
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相关代理商/技术参数
参数描述
CFY25-17 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
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CFY25-20 (S) 功能描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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