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参数资料
型号： CFY67-08
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
中文描述： 伊雷尔K波段低噪声砷化镓超迁移率晶体管
文件页数： 5/9页
文件大小： 747K
代理商： CFY67-08
CFY67
S emiconductor Group
5 of 10
Draft D, S eptember 99
Typical Common Source S-Parameters
CFY67-08: V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA, Z
o
= 50
|S21|
<S21
|S12|
f
|S11|
<S11
<S12
|S22|
<S22 k-Fact. S
21
/S
12
MAG
[GHz] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn]
0,5
0,963
-15
5,315
165
1,0
0,938
-23
5,182
159
1,5
0,913
-33
5,060
150
2,0
0,889
-42
4,940
142
2,5
0,865
-52
4,824
133
3,0
0,844
-62
4,715
124
3,5
0,823
-72
4,591
115
4,0
0,800
-81
4,450
107
4,5
0,779
-91
4,319
99
5,0
0,761
-100
4,183
91
5,5
0,743
-109
4,043
83
6,0
0,725
-117
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75
6,5
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-125
3,769
68
7,0
0,690
-132
3,640
61
7,5
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-139
3,529
54
8,0
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-146
3,427
48
8,5
0,640
-153
3,344
41
9,0
0,625
-160
3,271
34
9,5
0,611
-168
3,202
28
10,0
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-175
3,143
21
10,5
0,586
177
3,089
15
11,0
0,576
169
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8
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1
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-5
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139
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-19
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131
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-26
14,0
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124
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-33
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0,517
116
2,787
-40
15,0
0,510
108
2,765
-46
15,5
0,505
99
2,751
-54
16,0
0,502
91
2,735
-61
16,5
0,499
82
2,719
-68
17,0
0,498
74
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-75
17,5
0,498
68
2,741
-80
18,0
0,498
62
2,760
-84
[dB]
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23,6
22,0
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14,3
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14,1
14,0
14,0
14,0
14,0
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14,0
14,0
[dB]
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0,1087
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0,1090
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1,19
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11,6
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11,3
11,4
11,5
相关PDF资料
PDF描述
CFY67-08P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-10 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-10P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CGA633450A LIGHTWEIGHT PRISMATIC MODEL
cgb 190 GaAs HBT(GaAs 场效应管)
相关代理商/技术参数
参数描述
CFY67-08 (P) 功能描述:射频GaAs晶体管 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
CFY67-08P 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-08PE6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
CFY6708PZZZA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:CFY6708PZZZA1 - Bulk
CFY67-10 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
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