- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378445 > CFY67 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | CFY67 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| 中文描述： | 伊雷尔K波段低噪声砷化镓超迁移率晶体管 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 747K |
| 代理商： | CFY67 |
CFY67
S emiconductor Group
3 of 10
Draft D, S eptember 99
Electrical Characteristics
(at T
A
=25°C; unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Drain-source saturation current
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
I
Dss
15
30
60
mA
Gate threshold voltage
V
DS
= 2 V, I
D
= 1 mA
-V
Gth
0.2
0.7
2.0
V
Drain current at pinch-off
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= - 3 V
I
Dp
-
< 50
-
μA
Gate leakage current at pinch-off
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= - 3 V
-I
Gp
-
< 50
200
μA
Transconductance
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
g
m15
50
65
-
mS
Gate leakage current at operation
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
-I
G15
-
< 0.5
2
μA
Thermal resistance
junction to soldering point
R
th J S
-
450
-
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CFY67-06 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-08 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-08P | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-10 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-10P | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CFY67_11 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-06 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-08 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-08 (P) | 功能描述:射频GaAs晶体管 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| CFY67-08P | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。