参数资料
型号: CGH40180PP
厂商: Cree Inc
文件页数: 7/12页
文件大小: 1717K
描述: TRANS 180W RF GAN HEMT 440199PKG
标准包装: 24
系列: GaN
晶体管类型: HEMT
频率: 0Hz ~ 2.5GHz
增益: 19dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 56A
电流 - 测试: 2A
功率 - 输出: 220W
电压 - 额定: 84V
封装/外壳: 440199
供应商设备封装: 440199
包装: 管件
4
CGH40180PP Rev 2.0
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.CREE
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/rf
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Typical Performance
Gain and Drain Effciency vs Output Power of the CGH40180PP
in Broadband Amplifer Circuit CGH40180PP-TB
VDD
= 28 V, I
DQ
= 2.0 A
40%40%
50%
60%
70%
80%
1414
16
18
20
22
D
r
a
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c
y
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i
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(
d
B
)
gain 1100
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eff 1100
eff 1150
eff 1200
eff 1250
eff 1300
Gain
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10%
20%
30%
6
8
10
12
30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54
D
r
a
i
n
E
f
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c
y
G
a
i
n
(
d
B
)
Output Power (dBm)
Drain
Efficiency
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