应用范围:功率 | 品牌:ST/意法 | 型号:LM317 | 材料:硅(Si) | 封装形式:-- | 批号:自己现货 | 是否提供加工定制:是 | 封装:TO-220

应用范围:功率 | 品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:IPP052NE7N | 材料:锗(Ge) | 封装形式:TO-220

品牌:进口品牌 | 型号:5N120BND | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道，N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-HBM/半桥组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC

品牌:SHINDENGEN/新电元 | 型号:k2196/k1250/2sk1411 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:/ | 截止频率fT:/

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型号:FS10UM-14A/FS10UM-12/FS10UM-10 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 集电极最大耗散功率PCM:150 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:10A-30A | 极性:NPN型 | 截止频率fT:/ | 结构:平面型 | 封装材料:塑料封装 | 是否提供加工定制:否 | 应用范围:开关

品牌:IR/国际整流器 | 型号:SBP13007A 13009 13003 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:9.3a | 低频噪声系数:0.25 | 极间电容:.

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:SD20N60 ，20N60CFD | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 应用范围:开关

品牌:SHINDENGEN/新电元 | 型号:C30P10Q | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 备注:* | 产品类型:肖特基管 | 是否进口:是

品牌:MOTOROLA/摩托罗拉 | 型号:MTP3055 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 材料:N-FET硅N沟道 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:/ | 截止频率fT:/

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQP3N80/FQP3N80C | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 集电极最大耗散功率PCM:/ | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:3A | 极性:NPN型 | 截止频率fT:/ | 结构:平面型 | 封装材料:塑料封装 | 是否提供加工定制:否 | 应用范围:开关

品牌:IR，ST | 型号:30CTQ045，30CTQ060 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 备注:* | 产品类型:肖特基管 | 是否进口:是

品牌:Sanyo/三洋 | 型号:C2078，2SC2078 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 击穿电压VCBO:n | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:n | 截止频率fT:n | 应用范围:功率

品牌:SAK日本三肯 | 型号:C4542 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MW/微波 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 跨导:n | 最大漏极电流:n | 开启电压:n | 夹断电压:n | 低频噪声系数:n | 极间电容:n | 最大耗散功率:n

品牌:进口 | 型号:K2195，2SK2195 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:O/振荡 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 最大漏极电流:N | 低频噪声系数:N | 极间电容:N

应用范围:放大 | 品牌:SK | 型号:MP1620 MN2488 | 类型:其他IC | 批号:拆机 | 用途:电视机 | 封装:TO-3P

品牌:IR/国际整流器 | 型号:30CPQ150 STPS30H150CW | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 类型:音响IC | 集电极最大耗散功率PCM:10 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:10 | 极性:NPN型 | 结构:面接触型 | 批号:拆机 | 封装材料:金属封装 | 加工定制:否 | 封装:TO-3P | 击穿电压VCEO:10 | 应用范围:放大

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SC5421 2SC5422 2SC5622 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 类型:电视机IC | 集电极最大耗散功率PCM:10 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:10 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:10 | 结构:点接触型 | 批号:拆机 | 封装材料:金属封装 | 加工定制:否 | 封装:TO-3PL | 击穿电压VCEO:10 | 应用范围:放大

品牌:Hitachi/日立 | 型号:K1947 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 类型:录像机IC | 集电极最大耗散功率PCM:10 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:10 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:10 | 结构:面接触型 | 批号:拆机 | 封装材料:金属封装 | 加工定制:否 | 封装:TO-3PL | 击穿电压VCEO:10 | 应用范围:开关

品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK962 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:CC/恒流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:SEC | 型号:STP6N60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 跨导:11 | 最大漏极电流:1 | 开启电压:1