- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录674 > CM1400-03CP (ON Semiconductor)ARRAY EMI FLTR ESD PRT 6CH 15CSP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CM1400-03CP |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ARRAY EMI FLTR ESD PRT 6CH 15CSP |
| 产品变化通告： | CMD Product Obsolescence 16/Mar/2011 |
| 标准包装： | 3,500 |
| 类型： | 低通 |
| 技术： | RC（Pi） |
| 通道数： | 6 |
| 中心 / 截止频率： | 58MHz（截止值） |
| 衰减值： | 35dB @ 800MHz ~ 2.7GHz |
| 电阻 - 通道 (Ohms)： | 100 |
| 值： | R = 100 欧姆，C = 30pF |
| ESD 保护： | 是 |
| 滤波器阶数： | 2nd |
| 应用： | 移动设备的数据线路 |
| 封装/外壳： | 15-WFBGA，WLCSP |
| 尺寸/尺寸： | 0.117" L x 0.052" W（2.96mm x 1.33mm） |
| 高度： | 0.028"（0.71mm） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
CM1400 ? 03
Table 4. ELECTRICAL OPERATING CHARACTERISTICS (Note 1)
Symbol
R
C
Resistance
Capacitance
Parameter
Conditions
At 2.5 V DC
Min
80
24
Typ
100
30
Max
120
36
Units
W
pF
TCR
Temperature Coefficient of Resistance
1200
ppm/ ° C
TCC
V DIODE
I LEAK
Temperature Coefficient of Capacitance
Diode Voltage (reverse bias)
Diode Leakage Current (reverse bias)
At 2.5 V DC
I DIODE = 10 m A
V DIODE = 3.3 V
? 300
6.0
100
ppm/ ° C
V
nA
V SIG
Signal Voltage
Positive Clamp
Negative Clamp
I LOAD = 10 mA
5.6
? 1.5
6.8
–0.8
9.0
? 0.4
V
V ESD
V CL
f C
In ? system ESD Withstand Voltage
a) Human Body Model, MIL ? STD ? 883,
Method 3015
b) Contact Discharge per IEC 61000 ? 4 ? 2
Level 4
Clamping Voltage during ESD Discharge
MIL ? STD ? 883 (Method 3015), 8 kV
Positive Transients
Negative Transients
Cut ? off Frequency
Z SOURCE = 50 W , Z LOAD = 50 W
(Note 2)
(Notes 2 and 3)
R = 100 W , C = 30 pF
± 30
± 15
+10
–5
58
kV
V
MHz
1. T A = 25 ° C unless otherwise specified.
2. ESD applied to input and output pins with respect to GND, one at a time.
3. Clamping voltage is measured at the opposite side of the EMI filter to the ESD pin. For example, if ESD is applied to Pin A1, then clamping
voltage is measured at Pin C1.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM1401-32CP | ARRAY 4CH EMI FLTR+4CH ESD 15CSP |
| CM1402-03CP | IC EMI FILTER ARRAY SIM 10WLCSP |
| CM1405-03CP | ARRAY ESD/EMI FLTR 8CH 20CSP |
| CM1406-08DE | ARRAY ESD/EMI FLTR 8CH 16DFN |
| CM1407-04DE | ARRAY ESD/EMI FLTR 4CH 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM1400-03CP-HST | 功能描述:电磁干扰滤波器 6-Ch EMI Filter with ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 电容:12 pF 电路类型: 最大直流电流: 最大直流电阻: 电压额定值:6 V 容差: 端接类型:SMD/SMT 工作温度范围:- 30 C to + 85 C 系列:EMIF03 |
| CM1400-03CS | 制造商:California Micro Devices 功能描述:6 FUNCTIONS, DATA LINE FILTER |
| CM1400-32CP | 功能描述:电磁干扰滤波器 6-Ch EMI Filter with ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 电容:12 pF 电路类型: 最大直流电流: 最大直流电阻: 电压额定值:6 V 容差: 端接类型:SMD/SMT 工作温度范围:- 30 C to + 85 C 系列:EMIF03 |
| CM1400DU-24NF | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 1400A MEGA RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM1400DUC-24NF | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE 1400A 1200V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 1.4KA, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:1.4kA, Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV, Operating Temperature Min:-40C, Operating Temperature Max:150C 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NF-SERIES DUAL |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。